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Wafer Fab中的reticle靜電損壞

已有 1784 次閱讀2017-11-7 16:12 |個(gè)人分類(lèi):ESD控制| wafer, fab, reticle, ESD, PHOTO

Reticle在Wafer fab中的角色
  Photolithography(簡(jiǎn)稱(chēng)PHOTO,光刻),是半導體Wafer fab中最為核心技術(shù)的生產(chǎn)工序段。
  Reticle,也稱(chēng)為photo mask(光罩),則是PHOTO工序必不可缺少的關(guān)鍵工具。Reticle的自身完好性,對wafer線(xiàn)路光刻的精準性起著(zhù)決定性的作用。

圖1. Reticle在wafer PHOTO中的作用圖示

圖2. 用于wafer fab的Reticle
Reticle的靜電敏感性
  由于wafer制程的精細程度持續提高,reticle對靜電的敏感型也持續上升。相關(guān)業(yè)內的實(shí)踐經(jīng)驗分析與相關(guān)研究表明,用于180nm制程的reticle已經(jīng)表現出不可忽視的靜電敏感特性。

圖3.Reticle chrome線(xiàn)路遭受多次ESD的損壞癥狀(光學(xué)顯微鏡)
Reticle靜電損壞對wafer fab的價(jià)值
  Reticle受到靜電的影響,尤其是發(fā)生chrome pattern CD(Critical Dimension,關(guān)鍵尺寸)的偏移(較強的ESD),可能直接導致PHOTO后的wafer報廢。
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