H 橋驅動(dòng)電路

特性                                              

?   低待機電流 (小于0.1uA)              

?   低導通內阻MOSFET 功率開(kāi)關(guān)管   

— 采用MOS 工藝設計功率管     

   — 800 毫安通道功率管內阻0.54 歐姆 

— 200 毫安通道功率管內阻0.48 歐姆

?   內部集成續流二極管                                    

— 無(wú)需外接續流二極管

?   超小型封裝尺寸

— 采用SOT23-6 封裝

— 含引腳外形尺寸2.92mm*2.8mm                      

?   較小的輸入電流

— 集成約10K 對地下拉電阻

— 3V 驅動(dòng)信號平均350uA 輸入電流

?   內置帶遲滯效應的過(guò)熱保護電路(TSD)

?   抗靜電等級：3KV (HBM)                             

 概述

該產(chǎn)品采用H 橋電路結構設計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅動(dòng)線(xiàn)圈、馬達等感

性負載。電路內部集成N 溝道和P 溝道功率MOSFET，工作 電壓范圍覆蓋1.8V  到8V 。

27℃，VCC=5V 條件下最 大持續輸出電流達到1A，最大峰值輸出電流達到1.5A 。

該單路為功率器件，本身具備一定內阻，電路的發(fā)熱與負載電流、功率管導通內阻以及環(huán)境

溫度 密切相關(guān)。電路設計有芯片級溫度檢測電路，實(shí)時(shí)監控芯片內部發(fā)熱，當芯片內部溫

度超過(guò)設定值時(shí)  (典型值150℃)，產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號，關(guān)閉負載電  流，避免因異常使

用導致的溫度持續升高，進(jìn)而造 成塑料封裝冒煙、起火等嚴重安全事故。芯片內置的溫度

遲滯電路，確保電路恢復到安全溫度后，才允許重新對功率管進(jìn)行控制。

應用范圍

?   IR-CUT 驅動(dòng)

?   電動(dòng)玩具

?   步進(jìn)電機驅動(dòng) 

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