上一篇主要說(shuō)明NVM區操作注意事項，本文針對上篇提到的NVM區數據備份方法進(jìn)行補充講解。

NVM區主要特性是寫(xiě)入數據掉電不丟失，可以永久的保存數據，一般用作存放不經(jīng)常修改的數據，此功能類(lèi)似FLASH。向NVM區寫(xiě)入數據可分為3步：第一步，將目標扇區內原有數據讀出到RAM中；第二步，擦除NVM目標扇區內數據；第三步，將新數據和RAM中的舊數據寫(xiě)入到該扇區中�；�于以上寫(xiě)操作的特點(diǎn)可以看出，若執行寫(xiě)NVM區操作的第二步或第三步時(shí)芯片斷電了，就會(huì )造成NVM區內原有數據丟失，而新數據寫(xiě)入失敗，表現出NVM區內數據錯亂的現象。雖然這只是小概率事件，但出于穩定性和產(chǎn)品健壯性考慮也要加入數據備份機制。

數據備份有兩套基本方案，分別適用于小數據量和大數據量的應用場(chǎng)景。本期介紹小數據量備份方案，即要求每次更新數據量小于一個(gè)扇區大小減1，本例扇區大小256字節，因此更新數據量最大255字節。（注意：不同型號芯片NVM扇區大小會(huì )有差異，可以聯(lián)系凌科技術(shù)確認）。實(shí)現思路是：從NVM區選取兩塊區域，每個(gè)區域的最后一字節記錄該區域的操作次數。以該標志決定更新數據應選用哪個(gè)區域。依次循環(huán)操作兩個(gè)區域，操作區域1的時(shí)候，區域2就充當了備份作用，反之同理。

第一次寫(xiě)入數據

第一步：將NVM區地址0x0000~0x00FF定義為Block1，將0x0200~0x02FF定義為Block2。

#define Block1 0x0000

#define Block2 0x0200

第二步：定義一個(gè)256字節的數組databuf和一個(gè)標志位變量cnt，并將cnt賦值0。

unsigned char databuf[256]；

Unsigned char cnt = 0；

第三步：將目標數據（待寫(xiě)入數據）拷貝到databuf數組中，并將cnt+1拷貝到databuf+255的位置。

databuf[255] = cnt+1；

第四步：調用WriteNVM函數向Block1寫(xiě)入數據databuf，寫(xiě)入長(cháng)度256字節。調用WriteNVM函數向Block2+255位置寫(xiě)入cnt，寫(xiě)入長(cháng)度1字節

WriteNVM（Block1，databuf，256）；

WriteNVM（Block2+255，&cnt，1）；

更新數據

第一步：調用ReadNVM函數分別讀取Block1和Block2的標志位（最后一字節）。

unsigned char flag1，flag2；

ReadNVM（Block1+255，&flag1，1）；

ReadNVM（Block2+255，&flag2，1）；

第二步：判斷兩個(gè)Block的標志位大小，選取標志位數值小的Block進(jìn)行更新。將目標數據（待寫(xiě)入數據）拷貝到databuf數組中，并將標志位加2后拷貝到databuf+255的位置。

if(flag1 > flag2)

{

cnt = flag2 + 2；

databuf[255] = cnt；

WriteNVM（Block2，databuf，256）；
}else{

cnt = flag1 +2；

databuf[255] = cnt；

WriteNVM（Block1，databuf，256）；

}

讀取數據

第一步：讀取Block1和Block2的標志位數據。

ReadNVM（Block1+255，&flag1，1）；

ReadNVM（Block2+255，&flag2，1）；

第二步：判斷標志位大小，數值大的Block內為新數據，數值小的Block內為舊數據。

if（flag1 > flag2）

{

ReadNVM（Block1，databuf，255）；

}else{

ReadNVM（Block2，databuf，255）；

}