CompactFlash 支持
外部總線(xiàn)接口集成了連接CompactFlash 設備的電路。
CompactFlash 邏輯被NCS4 和/或NCS5 地址空間上的靜態(tài)存儲控制器(SMC)驅動(dòng)。編程EBI_CSA 寄存器上的CS4A 和/或CS5A 位到適當的值使能此邏輯。此寄存器的細節,請參考總線(xiàn)矩陣用戶(hù)接口章節。訪(fǎng)問(wèn)一個(gè)外部CompactFlash 設備通過(guò)訪(fǎng)問(wèn)保留到NCS4 和/或NCS5 的地址空間(就是說(shuō),對NCS4在0x5000 0000和0x5FFF FFFF之間,對NCS5在0x6000 0000和0x6FFF FFFF 之間)完成。
所有的CompactFlash 模式(Attribute Memory, Common Memory, I/O andTrue IDE)是被支持的,但是信號_IOIS16 (I/O 和True IDE 模式) 和 _ATASEL (True IDE 模式)不被處理。
1.1
I/O模式,Common Memory 模式,Attribute Memory 模式和True IDE 模式在NCS4 和/或NCS5 地址空間,當前傳輸地址區別I/O 模式,Common Memory 模式,Attribute Memory 模式和True IDE 模式。不同模式通過(guò)一個(gè)如圖20-3 所說(shuō)明的特殊存儲映射被訪(fǎng)問(wèn)。傳輸地址的A[23:21]位被用于選擇需要的模式,如表20-5 描述。
圖20-3 CompactFlash 存儲映射
注意:EBI 的A22 引腳被用于驅動(dòng)CompactFlash 設備(除了在True IDE 模式)的REG 信號。
表20-5 CompactFlash 模式選項
A[23:21] 模式基本地址
000 Attribute Memory
010 Common Memory
100 I/O 模式
110 True IDE 模式
111 交替True IDE 模式
1.2 CFCE1 和 CFCE2 信號
為了覆蓋所有訪(fǎng)問(wèn)類(lèi)型,SMC 必須交替的置位去驅動(dòng)8 位數據總線(xiàn)或16 位數據總線(xiàn)。D[7:0]總線(xiàn)上的奇字節訪(fǎng)問(wèn)僅當SMC 被配置用來(lái)驅動(dòng)對應的NCS 引腳(NCS4 和 或NCS5)上的8 位存儲器。NCS4 和/或NCS5 地址空間的片選寄存器(對應片選模式中的的DBW 域)必須置位,如表20-6 所示,去使能需要的訪(fǎng)問(wèn)類(lèi)型。
NBS1 和 NBS0 是SMC 的字節選擇信號并當SMC 在對應片選設置為字節選擇模式時(shí)可用。
CFCE1 和CFCE2 波形與相應的NCSx 波形相同。
表20-6 CFCE1 和 CFCE2 真值表
模式 CFCE2 CFCE1 DBW 備注 SMC訪(fǎng)問(wèn)模式
Attribute Memory NBS1 NBS0 16 位 訪(fǎng)問(wèn)D[7:0]偶字節 字節選擇
Common Memory NBS1 NBS0 16 位 訪(fǎng)問(wèn)D[7:0]偶字節 字節選擇
訪(fǎng)問(wèn)D[15:8]奇字節
1 0 8 位 訪(fǎng)問(wèn)D[7:0]奇字節 無(wú)關(guān)緊要
I/O 模式 NBS1 NBS0 16 位 訪(fǎng)問(wèn)D[7:0]偶字節 字節選擇
訪(fǎng)問(wèn)D[15:8]奇字節
1 0 8 位 訪(fǎng)問(wèn)D[7:0]奇字節 無(wú)關(guān)緊要
True IDE 模式
Task file 1 0 8 位 訪(fǎng)問(wèn)D[7:0]偶字節 無(wú)關(guān)緊要
訪(fǎng)問(wèn)D[7:0]奇字節
數據寄存器 1 0 16 位 訪(fǎng)問(wèn)D[7:0]偶字節 字節選擇
訪(fǎng)問(wèn)D[15:8]奇字節
交替True IDE 模式
控制寄存器 0 1 無(wú)關(guān) 緊要 訪(fǎng)問(wèn)D[7:0]偶字節 無(wú)關(guān)緊要
交替狀態(tài)讀 訪(fǎng)問(wèn)D[7:0]奇字節
驅動(dòng)地址 0 1 8 位 無(wú)關(guān)緊要
True IDE Standby 模 1 1 無(wú)關(guān)緊要 無(wú)關(guān)緊要 無(wú)關(guān)緊要
式或地址空間未指定
到CF