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標題: 電容在ESD中的應用--耦合效應（轉） [打印本頁(yè)]

作者: @︻$▅▆▇◤ 時(shí)間: 2014-2-17 16:02
標題: 電容在ESD中的應用--耦合效應（轉）
在測試平板電腦ESD的過(guò)程中，我們時(shí)常會(huì )遇到這樣的現象：平板電腦的放置方式對測試結果會(huì )有絕然不同的影響。將平板電腦Panel朝上時(shí)，ESD幾槍就會(huì )死機；將Panel朝下時(shí)，正負電壓各放電幾十次都沒(méi)問(wèn)題，增加測試電壓，ESD測試依舊OK。這就是ESD中的耦合效應，即ESD輻射干擾。
ESD對電子電路的的干擾有兩種，一種是傳導干擾，另一種是輻射干擾。傳導干擾的解決思路是“疏”和“堵”，要么讓靜電通過(guò)地盡快泄放走，要么就讓它不能進(jìn)來(lái)。輻射干擾是ESD通過(guò)空間輻射的方式對電子電路產(chǎn)生影響，因此找到輻射路徑和敏感源才能找到真實(shí)有效的對策。上述例子中平板電腦的ESD耦合效應，原因是：在靜電放電過(guò)程中，當panel朝上時(shí)，panel背面的鐵件和測試臺上的鋁板形成電容，每次放電都在對這個(gè)電容充電，主板就存在于這個(gè)電容的電場(chǎng)之中，只要主板某部分抗干擾能力不夠強，就會(huì )出問(wèn)題。而當panel朝下時(shí)，主板不在此電容的電場(chǎng)之中，ESD測試也就可以通過(guò)。因此，我們有時(shí)也會(huì )遇到這樣的情況，ESD測試過(guò)程中，將平板墊高（此時(shí)平板panel朝上）也會(huì )使測試通過(guò)，原因跟上面的一樣，墊高后，該電容中的電場(chǎng)變弱，板子上的敏感源受到的干擾也就變弱，測試就可通過(guò)。根據這樣的理論分析推測，若對這種情況的機子進(jìn)行間接放電，HCP or VCP，測試應該Fail，試驗證實(shí)，測試結果與理論推測一致。且在直接放電測試中，逐漸墊高平板時(shí)，當達到某一高度后，測試就會(huì )通過(guò)，下表為實(shí)際測試結果，與理論結果一致。

試驗組	描述	理論結果	實(shí)際結果
1	panel朝上，ESD Contact +/-4KV	Fail	Fail
2	panel朝下，ESD Contact +/-4KV	Pass	Pass
3	panel朝上，墊高1cm，ESD Contact +/-4KV	Fail	Fail
4	panel朝上，墊高2cm，ESD Contact +/-4KV	Fail	Fail
5	panel朝上，墊高3cm，ESD Contact +/-4KV	Fail	Fail
6	panel朝上，墊高4cm，ESD Contact +/-4KV	Pass	Pass

當遇到這樣的問(wèn)題時(shí)，在接口處加TVS管已經(jīng)不能解決問(wèn)題，只有找到敏感源，增加屏蔽（For IC）or 電容（For Trace）去耦，才是有效的解決方法。
案例：
平板，USB口，Contact +/-4KV，Panel朝上時(shí)，Contact +/-4KV死機or重啟；朝下時(shí)，+/-6KV OK。
對策：USB 4條線(xiàn)加TVS & 在PMU USB POWER Pin上加電容 & DDR Power加電容 & V_sys 加電容 & LCD rst加電容（LCD Cable過(guò)長(cháng)） & 增加3處主板至Panel的下地。（電容都加在近IC端，越近越好）
結果：Panel朝上時(shí)，Contact +/-6KV OK。
總結：
電容去耦能很好的提升信號線(xiàn)的去耦能力，增強其抗干擾能力。

原文鏈接：http://www.gaosupcb.com/forum.php?mod=viewthread&tid=255&extra=

作者: chenyuanzhi1989 時(shí)間: 2014-2-17 23:40
贊
學(xué)習了！

作者: yhchu 時(shí)間: 2014-4-24 02:06
學(xué)習了！

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