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近年來(lái)，隨著(zhù)工業(yè)、汽車(chē)等市場(chǎng)需求的增加，以GaN、SiC為代表的第三代半導體材料的重要性與優(yōu)越性逐漸凸顯了出來(lái)。同時(shí)，隨著(zhù)第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)日趨成熟，生產(chǎn)成本不斷降低，使得第三代半導體材料突破傳統硅基半導體材料的瓶頸，從而引領(lǐng)了新一輪產(chǎn)業(yè)革命。

根據Yole于2018年發(fā)布的《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應用-2018版》報告預測顯示，到2023年SiC功率市場(chǎng)總值將超過(guò)14億美元，2017年至2023年的復合年增長(cháng)率（CAGR）將達到29%。2019-2020年，5G網(wǎng)絡(luò )的實(shí)施將接棒，推動(dòng)GaN市場(chǎng)增長(cháng)。未來(lái)10年，GaN市場(chǎng)將有望超過(guò)30億美元。

由此可見(jiàn)，未來(lái)采用第三代半導體材料器件的產(chǎn)品和企業(yè)將會(huì )越來(lái)越多。但在半導體器件向小型化和集成化方向發(fā)展的同時(shí)，半導體器件特性測試對測試系統也提出了越來(lái)越高的要求。舉個(gè)例子，這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級，而這就是測試儀器所要面臨的挑戰之一。

因此，小型化器件需要測試設備在低噪聲源表、探針臺和顯微鏡等方面提升性能，使之具備更高的低電流測試能力，能夠支持測量各種功率范圍的器件。

除此之外，為了縮短測試所用的時(shí)間，這種儀器還必須能夠監視這臺設備所消耗的電壓和電流，并以此來(lái)判斷設備的性能或測試設備是否正常工作。而與其他器件相比，測試第三代半導體材料器件的性能，則需要精度更高、靈敏度更高的測試儀器。

數字源表源測量單元（SMU）就被視為是可支持第三代半導體材料器件的測試儀器。這種儀器在同一引腳或連接器上結合了源功能和測量功能，它將電源或函數發(fā)生器，數字萬(wàn)用表（DMM）或示波器，電流源和電子負載的功能集成到一個(gè)緊密同步的儀器中�？梢栽谳敵鲭妷夯螂娏鞯耐瑫r(shí)，測量電壓和/或電流。

一般說(shuō)來(lái)，SMU測量能力超過(guò)類(lèi)似單臺儀器的任意組合。SMU可以進(jìn)行高精度，高分辨率和高靈活性的測試分析。被廣泛應用在 IV 檢定、測試半導體及非線(xiàn)性設備和材料等方面的測試方面。這對于吞吐量和準確度尤其如此。源和測量電路的詳盡設計知識和工作電路之間的反饋實(shí)現補償技術(shù)能實(shí)現優(yōu)秀的儀器特性，包括能針對具體工作條件進(jìn)行動(dòng)態(tài)調整的近乎完美輸入和輸出阻抗。這種緊密集成以極高分辨率實(shí)現快速源-測量周期。這些優(yōu)點(diǎn)在半成品晶圓以及成品上進(jìn)行的半導體測量中最突出。

在眾多SMU測儀表中，尤屬吉時(shí)利源表的表現最突出。據悉，吉時(shí)利源表已經(jīng)幫助南京大學(xué)的研究人員進(jìn)行了薄膜晶體管和半導體材料測試。同時(shí)其2450源表也進(jìn)入到了中山大學(xué)半導體材料與器件特性表征實(shí)驗室，幫助師生完成了新材料的相關(guān)測試。  

據了解，吉時(shí)利源表還可用于便攜式無(wú)線(xiàn)設備等電子成品的生產(chǎn)測試；HBLED和太陽(yáng)能電池等電子器件的QA/FA；適于納米技術(shù)應用的石墨烯等高級材料的研究。