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標題: 如何解決MRAM壽命問(wèn)題 [打印本頁(yè)]

作者: 宇芯電子    時(shí)間: 2020-10-28 15:45
標題: 如何解決MRAM壽命問(wèn)題
MRAM是一種非易失性磁性隨機存儲器。它擁有SRAM存儲芯片的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)DRAM的高集成度,并可以無(wú)限次地重復寫(xiě)入。MRAM工作的基本原理與硬盤(pán)驅動(dòng)器類(lèi)似,與在硬盤(pán)上存儲數據一樣,數據以磁性的方商為依據,存儲為0或1。它存儲的數據具有永久性,直到被外界的磁場(chǎng)影響,才會(huì )改變這個(gè)磁性數據。因為運用磁性薦儲數據,所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。本篇文章由專(zhuān)注于代理銷(xiāo)售Everspin MRAM等存儲芯片供應商介紹如何解決MRAM壽命問(wèn)題。

在高密度MRAM模塊中會(huì )遇到磁介質(zhì)的不規則漩渦,這種漩渦引起了磁極的老化,甚至導致讀寫(xiě)錯誤。這也就是說(shuō),MRAM的壽命和穩定性會(huì )隨著(zhù)MRAM容量的增加而面臨嚴峻的考驗。為此VERTICAL RING GMRCELLS技術(shù)(垂直環(huán)繞巨磁阻單元)臨危授命,很明顯VRGC讓磁層有了軟硬之分。大家可不要小看這一簡(jiǎn)單的變化,這樣垂直排列的巨磁阻會(huì )將不規則漩渦基本消除,很有效地解決了MRAM的老化問(wèn)題。此外為了加強MRAM的穩定性,避免讀寫(xiě)錯誤,VRGC技術(shù)在每一基本單元額外加入了一對平行字符線(xiàn),這有點(diǎn)類(lèi)似目前普遍應用于服務(wù)器內存的校驗功能。


作者: 宇芯電子    時(shí)間: 2020-10-28 15:46
MRAM是一種非易失性磁性隨機存儲器。它擁有SRAM存儲芯片的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)DRAM的高集成度,并可以無(wú)限次地重復寫(xiě)入。
作者: 宇芯電子    時(shí)間: 2020-10-28 15:46
MRAM工作的基本原理與硬盤(pán)驅動(dòng)器類(lèi)似,與在硬盤(pán)上存儲數據一樣,數據以磁性的方商為依據,存儲為0或1。它存儲的數據具有永久性,直到被外界的磁場(chǎng)影響,才會(huì )改變這個(gè)磁性數據。因為運用磁性薦儲數據,所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。本篇文章由專(zhuān)注于代理銷(xiāo)售Everspin MRAM等存儲芯片供應商介紹如何解決MRAM壽命問(wèn)題。




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