| 參與第3期Numonyx知識競賽，贏(yíng)取Altera Cyclone III 開(kāi)發(fā)板和sd卡,你還在等什么，趕緊去參加把！ http://comm.ednchina.com/Company/Numonyx/Question.aspx 挑戰問(wèn)題三 問(wèn)題1 隨著(zhù)如今的高容量存儲器技術(shù)邁向下一代具有挑戰性的30nm大關(guān)，人們認為相變存儲器的理論極限尺度是？ 20 nm 15 nm 10 nm 5 nm 問(wèn)題2 Numonyx近期在何處發(fā)表了題為《硫族化合物相變存儲器：未來(lái)十年的存儲器技術(shù)》的文章？ 2009年IEEE國際電子器件會(huì )議（IEDM） 2010年IEEE系統會(huì )議 BCS統計與預測會(huì )議 先進(jìn)技術(shù)分會(huì ) 問(wèn)題3 下面哪種技術(shù)相較于另外三種生產(chǎn)技術(shù)其產(chǎn)品耐久度能夠獲得十倍以上的提升？ NAND SLC NOR PCM NAND MLC 問(wèn)題4 相變存儲器單元的非結晶態(tài)和結晶態(tài)的轉變導致電荷流經(jīng)存儲器單元時(shí)阻力的變化是下面哪種技術(shù)的典型范例？ 電荷存儲技術(shù) 浮動(dòng)柵技術(shù) 狀態(tài)轉換技術(shù) 衰竭離子技術(shù) 問(wèn)題5 下面哪種問(wèn)題的產(chǎn)生于電荷存儲單元面積的不斷縮小有關(guān)？ 可以存儲電子的單元的質(zhì)量 隨著(zhù)層數的增加，MLC可靠性的降低 每bit成本繼續以傳統方式降低時(shí)所面臨的潛在困難 上述三個(gè)選項 |
| 歡迎光臨 電子工程網(wǎng) (http://selenalain.com/) | Powered by Discuz! X3.4 |