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標題: N 通道NTBG014N120M3P、NTHL022N120M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET [打印本頁(yè)]

作者: Mindy—mjd 時(shí)間: 2023-7-6 17:32
標題: N 通道NTBG014N120M3P、NTHL022N120M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET
明佳達電子有限公司/星際金華（回收、供應）N 通道NTBG014N120M3P、NTHL022N120M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET器件，如有需求，歡迎聯(lián)系陳先生qq 1668527835 咨詢(xún)詳談。

1、NTBG014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET是1200V M3P平面SiC MOSFET系列的一部分。ON MOSFET優(yōu)化用于電源應用。該平面技術(shù)可在柵極處于負柵極電壓驅動(dòng)和關(guān)斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。該系列在使用18V柵極驅動(dòng)時(shí)具有最佳性能，但也可與15V柵極驅動(dòng)配合使用。
FET 類(lèi)型：N 通道
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續漏極 (Id)：104A（Tc）
驅動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 74A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.63V @ 37mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：337 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：6313 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：454W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
供應商器件封裝：D2PAK-7

2、NTHL022N120M3S EliteSiC碳化硅MOSFET是一款1200V、M3S平面器件，針對快速開(kāi)關(guān)應用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)可靠地與負柵極電壓驅動(dòng)一起工作，并消除了柵極上的尖峰。該器件在使用18V柵極驅動(dòng)器驅動(dòng)時(shí)具有最佳性能，但也適用于15V柵極驅動(dòng)器。NTHL022N120M3S采用TO-247-3L封裝，非常適合工業(yè)、UPS/ESS、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)充電器應用。
FET 類(lèi)型：N 通道
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續漏極 (Id)：68A（Tc）
驅動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導通電阻（最大值）：30 毫歐 @ 40A， 18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 20mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：139 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3130 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：352W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：通孔
供應商器件封裝：TO-247-3

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