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標題: 具有出色的性?xún)r(jià)比IKWH30N65WR5XKSA1、IKW30N65WR5XKSA1 650V IGBT晶體管 [打印本頁(yè)]

作者: Mindy—mjd 時(shí)間: 2023-8-9 16:28
標題: 具有出色的性?xún)r(jià)比IKWH30N65WR5XKSA1、IKW30N65WR5XKSA1 650V IGBT晶體管

650V TRENCHSTOP™ 5 WR5反向導通IGBT是特殊反向導通IGBT系列器件，針對通常在焊接逆變器應用中的完全額定硬切換關(guān)斷進(jìn)行了優(yōu)化。這些IGBT以具有吸引力的價(jià)格提供良好性能。WR5 IGBT具有出色的性?xún)r(jià)比，建議用于焊接中的交流-直流PFC級、UPS和太陽(yáng)能應用。

特性：
功能強大的單片二極管，優(yōu)化用于ZCS應用
采用TRENCHSTOP™ 5技術(shù)的優(yōu)勢如下：
高度穩健，溫度特性穩定
極低VCEsat和低Eoff
得益于VCEsat中的正溫度系數，可輕松實(shí)現并聯(lián)開(kāi)關(guān)功能
低EMI
低電氣參數（取決于溫度）
按照JESD-022標準符合目標應用要求
引腳無(wú)鉛電鍍
符合RoHS指令

明佳達電子/星際金華（回收、供應）具有出色的性?xún)r(jià)比IKWH30N65WR5XKSA1、IKW30N65WR5XKSA1 650V IGBT晶體管分立半導體，如有需要，請聯(lián)系陳先生qq 1668527835 咨詢(xún)。

1、IKWH30N65WR5XKSA1 IGBT 650V 75A 190W 通孔 PG-TO247-3-32
IGBT 類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：75 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：90 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，30A
功率 - 最大值：190 W
開(kāi)關(guān)能量：870μJ（開(kāi)），400μJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型：標準
柵極電荷：133 nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：41ns/398ns
測試條件：400V，30A，27 歐姆，15V
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
供應商器件封裝：PG-TO247-3-32

2、IKW30N65WR5XKSA1 IGBT晶體管 650V 60A 185W 通孔 PG-TO247-3
IGBT 類(lèi)型：溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：90 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，30A
功率 - 最大值：185 W
開(kāi)關(guān)能量：990μJ（開(kāi)），330μJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型：標準
柵極電荷：155 nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：39ns/367ns
測試條件：400V，15A，26 歐姆，15V
反向恢復時(shí)間 (trr)：95 ns
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3

典型應用——
焊接
功率因數校正 (PFC)
ZCS - 轉換器

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