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標題: 碳化硅模塊~SiC Module產(chǎn)品簡(jiǎn)介 [打印本頁(yè)]

作者: Eways-SiC 時(shí)間: 2023-9-23 11:06
標題: 碳化硅模塊~SiC Module產(chǎn)品簡(jiǎn)介
SiC模塊換向電感降低可以實(shí)現SiC MOSFET的全速開(kāi)關(guān)。更高的開(kāi)關(guān)速度可以轉換成更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而得到更小的磁性過(guò)濾器元件。同時(shí)可以降低開(kāi)關(guān)損耗，提高系統效率。精密的材料和封裝技術(shù)可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小，從而實(shí)現更高的功率密度。

全碳化硅SiC模塊產(chǎn)品簡(jiǎn)介.pdf (2.85 MB)

為縮小半導體器件使用尺寸，提高逆變器功率密度、可靠性、耐用性以及壽命周期。

作者: Eways-SiC 時(shí)間: 2023-10-7 12:03
實(shí)現更高的功率密度，可靠性和效率。

作者: Eways-SiC 時(shí)間: 2023-11-9 14:02
碳化硅模塊前途無(wú)量

作者: Eways-SiC 時(shí)間: 2023-12-20 11:55
有AQG-324

作者: Eways-SiC 時(shí)間: 2024-1-12 09:23
模塊實(shí)現更高的功率密度

作者: Eways-SiC 時(shí)間: 2024-2-20 17:43
SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動(dòng)以及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html

作者: Eways-SiC 時(shí)間: 2024-3-11 17:04
碳化硅MOS單管650V-1200V-1700V-3300V-6500V和SiC MODULE介紹。電子工程網(wǎng) - http://selenalain.com/thread-821142-1-1.html

作者: Eways-SiC 時(shí)間: 2024-3-27 11:43
碳化硅MOS管-SiC MODULE產(chǎn)品技術(shù)應用簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd
國產(chǎn)碳化硅MOS電壓650V-1200V-1700V-3300V，電流1A-150A

作者: Eways-SiC 時(shí)間: 2025-4-1 17:30
基于雙脈沖實(shí)驗的Sic與IGBT特性對比研究 https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw

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