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標題: 永源微AP6G03S、30V/N+P溝道MOSFET [打印本頁(yè)]

作者: ysp1 時(shí)間: 2023-9-28 09:30
標題: 永源微AP6G03S、30V/N+P溝道MOSFET
描述：
AP6G03S采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供出色的
RDS(ON)、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓，
適合用作
電池保護或其它開(kāi)關(guān)應用。
一般特征：
VDS=30伏內徑=10安
RDS(ON)<25mω@VGS=10V
VDS =-30V ID =-7.6 A
RDS(ON)<-48mω@VGS= 10V

應用：
電池保護
負載開(kāi)關(guān)
不間斷電源

基本參數：
最小工作溫度：-10℃
最大工作溫度：130℃
最小電源電壓：1.5V
最大電源電壓：7.5V
長(cháng)度：9.6mm
寬度：1.5mm
高度：1.8mm
漏源電壓：+30V
柵源電壓：20V
連續漏極電流，VGS @ 10V1
連續漏極電流，VGS @ 10V1
脈沖漏極電流：20
單脈沖雪崩能量：22
雪崩電流，21
儲存溫度范圍，-55到150°
輸入電容：VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz
封裝：SOP-8 管裝最小包裝3000一包
邱工：18028337418（微信同步）QQ：3101377292

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