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標題: PSRAM偽靜態(tài)RAM芯片APS6404L [打印本頁(yè)]
作者: 英尚微電子    時(shí)間: 2023-11-2 17:38
標題: PSRAM偽靜態(tài)RAM芯片APS6404L
PSRAM偽靜態(tài)RAM能結合SRAM和DRAM的優(yōu)點(diǎn)，即容量大,又接口驅動(dòng)簡(jiǎn)單，PSRAM接口和SRAM一樣簡(jiǎn)單，驅動(dòng)簡(jiǎn)單；而存儲形式則和DRAM一樣，容量遠大于SRAM，介于SRAM和DRAM之間。

PSRAM廠(chǎng)家也有很多,以AP用的最多。最常用的便是64MB。APS6404L這種偽SRAM器件具有高速、低引腳數接口。它有4個(gè)SDRI/O引腳，以SPI或QPI模式工作，頻率高達133MHz。它最適合低功耗和低成本的便攜式應用。它包含了一個(gè)無(wú)縫的自我管理刷新機制。因此，它不需要系統主機對DRAM刷新的支持。自刷新功能是一種特殊的設計，可最大限度地提高內存讀取操作的性能。APS6404L有標準封裝，包括SOP-8L和USON-8L。樣品及技術(shù)支持聯(lián)系英尚微。

功能
·50Ω輸出驅動(dòng)強度LVCMOS
·線(xiàn)性突發(fā)（連續）或通過(guò)切換命令的32字節包裝突發(fā)。
·線(xiàn)性突發(fā)支持高達84MHz，并且只要滿(mǎn)足tCEM，就可以跨越頁(yè)面邊界。
·軟件重置

規格
·單電源電壓
-VDD=2.7至3.6V
·接口：SPI/QPI，帶SDR模式
·性能：時(shí)鐘速率高達
-在VDD=3.0V+/-10%時(shí)，32字節封裝突發(fā)操作為133MHz
-在VDD=3.3V+/-10%時(shí)，109MHz用于32字節封裝突發(fā)操作
-用于線(xiàn)性突發(fā)操作的84MHz
·組織：64Mb，8Mx8bits
·可尋址位范圍：A[22:0]
·頁(yè)面大�。�1024字節
·刷新：自我管理
·工作溫度范圍：
-Tc=-40℃至+85℃（標準范圍）
-Tc=-40℃至+105℃（擴展范圍）
·最大備用電流
-105℃時(shí)為350μA
-250μA@85℃
-140μA@25°


APS6404L 3.3V
Density
Organization
Part Number
Data rate
Voltage
Temperature(°C)
64Mb
x4 Quad SPI
APS6404L-3SQR-SN
84(SDR)
3.0
-40~85
64Mb
x4 Quad SPI
APS6404L-3SQRX-SN
84(SDR)
3.0
-40~105
64Mb
x4 Quad SPI
APS6404L-3SQNX-SN
133(SDR)
1.8
-40~105
64Mb
x4 Quad SPI
APS6404L-3SQR-ZR
84(SDR)
3.0
-25~85
64Mb
x4 Quad SPI
APS6404L-3SQN-ZR
133(SDR)
1.8
-25~85
64Mb
x4 Quad SPI
APS6404L-3SQN-SN
133(SDR)
1.8
-40~85






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