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標題: MALD-37030B多速率激光驅動(dòng)器，LMV7275MG低功耗比較器，IPT015N10N5功率 MOSFET 晶體管 [打印本頁(yè)]

作者: Mingjiada 時(shí)間: 2025-3-20 16:03
標題: MALD-37030B多速率激光驅動(dòng)器，LMV7275MG低功耗比較器，IPT015N10N5功率 MOSFET 晶體管
深圳市明佳達電子，星際金華（供應及回收）原裝庫存器件：MALD-37030B多速率激光驅動(dòng)器，LMV7275MG低功耗比較器，IPT015N10N5功率 MOSFET 晶體管。

MALD-37030B——28Gbps，多速率激光驅動(dòng)器，LGA-52
型號：MALD-37030B
最大數據速率：28Gbps
集成 CDR：是
封裝：LGA-52
封裝尺寸：5 X 6 毫米
MALD-37030B 是 28Gbps 多速率激光驅動(dòng)器，具有限幅放大器、雙 CDRS、電源管理和診斷功能。

LMV7275MG——具有軌至軌輸入的雙通道、1.8 V 低功耗比較器，SC-70-5
概述：
LMV7275MG 是軌至軌輸入低功耗比較器，電源電壓分別為 1.8V、2.7V 和 5V。每個(gè)通道的電源電流消耗僅為 9-µA，同時(shí)實(shí)現了 800-ns 的傳播延遲。
LMV7275MG——產(chǎn)品特性：
VS = 1.8 V，TA = 25°C，典型值
單電源或雙電源
超低電源電流每通道 9 µA
低輸入偏置電流 10 nA
低輸入失調電流 200 pA
低確保 VOS 4 mV
傳播延遲 880 ns（20 mV 過(guò)驅動(dòng)）
輸入共模電壓范圍 0.1 V
超出導軌

IPT015N10N5——100V，OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 晶體管，PG-HSOF-8
型號：IPT015N10N5
封裝：PG-HSOF-8
類(lèi)型：功率 MOSFET 晶體管
IPT015N10N5——產(chǎn)品屬性：
系列：OptiMOS™
FET 類(lèi)型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續漏極 (Id)：300A（Tc）
驅動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導通電阻（最大值）：1.5 毫歐 @ 150A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-HSOF-8-1
封裝/外殼：8-PowerSFN

明佳達電子，星際金華（供應及回收）原裝器件：MALD-37030B多速率激光驅動(dòng)器，LMV7275MG低功耗比較器，IPT015N10N5功率 MOSFET 晶體管，如有需求，歡迎聯(lián)絡(luò )我們！

【明佳達電子，星際金華】還長(cháng)期供求以下型號：

CY8C6244AZI-S4D92

RTL8715AH

RTL8715AQ

RTL8720CM

STM32G030K8T6TR

STM32G030C8T6TR

STM32F103CBT6

NJJ29C0BHN

VNL5030S5TR

MEC1701Q-C2-SZ

HM2P87PDF1M0N9LF

1704151918

EP53A8HQI

TLD5097EP

MCIMX280DVM4B

MT53E2G32D4DE-046 WT:C

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B

HMC392ALC4TR

HMC431LP4ETR

HMC383LC4TR

LTM4611IV

MT53E128M32D2DS-053 IT:A

STW40N95K5

STTH30RQ06GY

STL135N8F7AG

VND5E025AKTR-E

STM32L151V8T6A

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