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標題: SL3170 耐壓150V支持1A電流降壓恒壓芯片內置MOS管 [打印本頁(yè)]

作者: 森利威爾電子. 時(shí)間: 4 天前
標題: SL3170 耐壓150V支持1A電流降壓恒壓芯片內置MOS管
一、產(chǎn)品核心特性

SL3170作為一款高性能降壓型DC-DC轉換器芯片，具有三大突出特性：
150V超高輸入耐壓：采用先進(jìn)BCD工藝制程，突破傳統降壓芯片60V耐壓限制，可直接適配工業(yè)級高壓場(chǎng)景
1A持續輸出能力：內置低導通電阻MOS管（典型值350mΩ），支持最大1.5A峰值電流輸出
恒壓精度±2%：集成精密電壓基準源，輸出電壓范圍3.3V-30V可調

二、關(guān)鍵技術(shù)優(yōu)勢

2.1 內置MOS管設計
省去外置MOSFET及驅動(dòng)電路
簡(jiǎn)化PCB布局（最小僅需6個(gè)外圍元件）
轉換效率最高達92%（12V轉5V@1A工況）
2.2 多重保護機制
保護類(lèi)型參數指標觸發(fā)響應時(shí)間過(guò)流保護1.8A閾值<1μs過(guò)熱保護150℃閾值溫度滯回10℃輸入欠壓鎖存4.5V閾值-

三、典型應用場(chǎng)景
工業(yè)控制系統：PLC模塊供電（24V轉5V）
智能家居：AC/DC適配器二次降壓（48V轉12V）
車(chē)載電子：蓄電池電壓轉換（72V轉3.3V）
IoT設備：太陽(yáng)能供電系統（100V轉5V）

四、選型對比建議
與競品LM5017相比：
輸入電壓范圍提升37%（150V vs 100V）
靜態(tài)功耗降低40%（80μA vs 135μA）
封裝更緊湊（SOT23-6 vs SOIC-
設計注意事項：當輸入電壓>100V時(shí)，建議增加前級TVS二極管；輸出電容推薦使用低ESR的陶瓷電容（22μF/X7R）

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