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標題:
求助：關(guān)于mos管發(fā)熱問(wèn)題
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作者:
gsywm
時(shí)間:
2012-6-19 17:49
標題:
求助：關(guān)于mos管發(fā)熱問(wèn)題
各位：
最近按照要求畫(huà)了塊板子，但調試時(shí)發(fā)現mos管燙的厲害，根本無(wú)法常時(shí)間工作。而且波形幅度值只有8V左右，請問(wèn)如何解決發(fā)熱問(wèn)題，并提高波形幅度。
原理圖如下
作者:
McuPlayer
時(shí)間:
2012-6-19 20:23
你這頻率忒高了點(diǎn)吧？
看看你MOS管的交流特性再說(shuō)吧。
作者:
yz64
時(shí)間:
2012-6-21 20:09
你這電路不適合真正做產(chǎn)品吧？考慮對管輸出和電感電容串聯(lián)電路吧。
你是讀卡電路，我的建議來(lái)自125K電路。
作者:
pqrnd
時(shí)間:
2012-6-24 11:01
MOS管一班不能達到10M以上的速度吧
作者:
meishansu
時(shí)間:
2012-6-27 09:37
1.MOS管開(kāi)關(guān)速度很高，如果不是超高速MOS管不行；
2.MOS管的柵極（G極）驅動(dòng)電流大，需要NPN和PNP組成所謂的圖騰柱驅動(dòng)方式；
3.電感并的電容是否太小，這個(gè)跟開(kāi)關(guān)頻率和電感大小有關(guān)；
作者:
szkei
時(shí)間:
2012-6-28 20:04
你這樣驅動(dòng)mos管只起到一般開(kāi)關(guān)(頻率低)的作用。如果頻率在K級以上，你必須加開(kāi)關(guān)量極快的驅動(dòng)。你這個(gè)圖主要現在就是關(guān)不斷mos管.
作者:
chenyingzuo
時(shí)間:
2012-6-30 11:06
因為功率
MOSFET
管柵源間的阻抗很高，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的漏源間電壓的突變會(huì )通過(guò)極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當幅度的
VGS
脈沖電壓，
正方向的
VGS
脈沖電壓雖然達不到損壞器件的程度，但會(huì )導致器件的誤導通。為此要適當地降低柵極驅動(dòng)電路的阻抗，在柵源之間并接阻尼電阻。還
給感性負載提供續流通道。
作者:
zzytyy1023
時(shí)間:
2012-7-4 15:40
你管子是p型的吧(DS反了吧)，注意開(kāi)關(guān)速度，驅動(dòng)加加速電容或者用鉗位二極管試試。
作者:
lipeter801
時(shí)間:
2012-7-5 09:25
柵源之間增加10k電阻
作者:
pcbkey
時(shí)間:
2015-2-7 12:04
支持一下
作者:
yangwenguan
時(shí)間:
2015-2-16 17:26
驅動(dòng)頻率太高了.
作者:
lucent
時(shí)間:
2015-5-26 16:30
呵呵。
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