研討會(huì )介紹

傳統硅材料在開(kāi)關(guān)電源系統上已經(jīng)發(fā)展了幾十年，就目前來(lái)講硅材料的發(fā)展空間很有限了，GaN材料在LED以及RF上面被世人了解，不過(guò)目前已經(jīng)發(fā)展進(jìn)入了功率器件的應用領(lǐng)域因為GaN適合高頻高壓的場(chǎng)合。作為下一代功率器件GaN HEMT已經(jīng)做好了替代 Si MOSFET的一切準備，其強勁的性能主要表現在超好的技術(shù)參數RDSON,QG,QRR等一系列影響到功率器件性能的關(guān)鍵參數。GaN HEMT用在開(kāi)關(guān)電源系統上面可以顯著(zhù)的提高系統的開(kāi)關(guān)效率，在硬開(kāi)關(guān)下面提高開(kāi)關(guān)頻率使得系統體積更小，從而更顯著(zhù)的提高其功率密度。Transphorm這家公司專(zhuān)注于GaN的研究已經(jīng)接近十年，公司成立于美國的加州Goleta，員工超過(guò)130人，專(zhuān)利超過(guò)250個(gè)，而且是目前唯一一個(gè)通過(guò)JEDEC認證的GaN的企業(yè)，FUJITSU目前與Transphorm合作為客戶(hù)提供GaN HEMT的技術(shù)支持及產(chǎn)品。

演講人介紹

孫國偉
孫國偉（FAE），從事半導體行業(yè)多年，擁有豐富的行業(yè)技術(shù)經(jīng)驗，主要方向電源管理芯片及功率器件的應用。加入富士通半導體之后，從事電源管理芯片以及功率器件的技術(shù)支持工作。