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碳化硅MOS電壓650V-3300V，電流1A-200A 。
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SiCMOS管?chē)a(chǎn)實(shí)現電壓650V-3300V，電流5A-150A 。https://pan.baidu.com/s/1coNcn5QTm2JBVLch-Nk4TA提取碼52x5 碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時(shí)也實(shí)現了更小的占用空間。
