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自主研發(fā)設計碳化硅MOS管芯片、SiC MOS晶圓die與 SiC Module功率模塊。通過(guò)AEC-Q101和AQG324認證。擁有全自主知識產(chǎn)權,已申請40項專(zhuān)利技術(shù),采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品。
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國產(chǎn)碳化硅功率模塊封裝、電路拓撲綜述
全新LPD碳化硅三相全橋模塊2.5nH超低電感驚艷亮相
碳化硅模塊(SiC模塊/MODULE)大電流下的驅動(dòng)器研究
光耦mos封寬帶隙、高頻快速開(kāi)關(guān)的碳化硅MOS芯片更低功耗高速(6寸國產(chǎn)碳化硅晶圓die
碳化硅MOS晶粒尺寸<2*2mm耐壓1200V/1700V 可內封到基于 MOSFET的固態(tài)繼電器?
國產(chǎn)碳化硅模塊(SiC Module)車(chē)規碳化硅功率模塊首家AQG324
碳化硅模塊(全碳SiC功率模組)國產(chǎn)SiC Module
碳化硅模塊~SiC Module產(chǎn)品簡(jiǎn)介
碳化硅MOS驅動(dòng)設計及SiC柵極驅動(dòng)器示例
DWC3碳化硅模塊ASC300N/ASC400N/ASC600N/ASC700N電壓1200V和1700V風(fēng)冷和液冷散熱
日志
碳化硅MOS電壓650V-3300V,電流1A-200A 。
2023-04-17
Si CMOS 管?chē)a(chǎn)實(shí)現 電壓 650V-3300V, 電流 5A-150A 。https://pan.baidu.com/s/1coNcn5QTm2JBVLch-Nk4TA 提取碼52x5 碳化硅(SiC ...
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