永源微AP6G03S、30V/N+P溝道MOSFET

正文摘要:

描述： AP6G03S采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供出色的 RDS(ON)、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓， 適合用作 電池保護或其它開(kāi)關(guān)應用。 一般特征： VDS=30伏內徑=10安 RDS(ON)