SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

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發(fā)布時(shí)間: 2023-11-23 17:39

正文摘要:

SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)參數說(shuō)明：P溝道，-60V，-5.2A，導通電阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-2V，封裝：SOT23。 應用簡(jiǎn)介：SI2309CDS-T1-GE3適用于低功率開(kāi)關(guān)和電流控制等領(lǐng)域。 其低導通電阻 ...

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