SI2319CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

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發(fā)布時(shí)間: 2023-11-24 16:16

正文摘要:

SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)參數說(shuō)明：P溝道，-30V，-5.6A，導通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門(mén)源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。 應用簡(jiǎn)介：SI2319CDS-T1-GE3適用于功率開(kāi)關(guān)和穩壓應用的P溝道MOSFET ...

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