5N10 MOS管惠海HG160N10LS 絲印HG510 高頻率 大電流 損耗小 低內阻

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發(fā)布時(shí)間: 2024-6-27 10:33

正文摘要:

HG160N10LS采用先進(jìn)的SFGMOS技術(shù),提供低 RDS(ON),低門(mén)充電,快速切換和出色的雪崩特性。該設備是專(zhuān)門(mén)設計的以獲得更好的耐用性,并適用于在同步整流應用。N溝道場(chǎng)效應管,封裝SOT23-3,開(kāi)啟電壓1.7V 低結電容201p ...

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