是德示波器如何精準測量第三代半導體SiC的動(dòng)態(tài)特性

正文摘要:

第三代半導體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車(chē)、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現出顯著(zhù)優(yōu)勢。然而，SiC器件的高頻開(kāi)關(guān)特性也帶來(lái)了動(dòng)態(tài)測試的挑戰：開(kāi)關(guān)速度可達納秒級，電 ...