1 問(wèn)題的描述
圖一 的電路圖顯示了升壓轉換器的關(guān)鍵環(huán)路，該環(huán)路由寄生電感和電容構成，分別標識為 LPAR 和 CPAR 參考指定器。在兩個(gè)開(kāi)關(guān)和電感器件的開(kāi)關(guān)轉換器相交處的節點(diǎn)被稱(chēng)作開(kāi)關(guān)節點(diǎn) ...
一、引言
電磁兼容性(EMC)是指電子設備或系統在規定的電磁環(huán)境電平下不因電磁干擾而降低性能指標，同時(shí)它們本身產(chǎn)生的電磁輻射不大于規定的極限電平，不影響其它電子設備或系統的正常運行， ...
近年來(lái)，電源的輸出電壓越來(lái)越低、輸出電流越來(lái)越大（某些電源系統輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設計中采用開(kāi)關(guān)電源控制器、加上多個(gè)驅動(dòng)器及功率 MOSFET組成的多相開(kāi)關(guān)電源能滿(mǎn)足這種 ...
UPS供電系統是電力、通信、銀行等行業(yè)的必備電源，從產(chǎn)生到現在已有幾十年的發(fā)展歷程，在技術(shù)不斷發(fā)展和改進(jìn)的過(guò)程中，其保護功能也在不斷地發(fā)生變化。UPS根據主機內逆變器的工作狀態(tài)可分為：后 ...
作者：yzhu05
前面都講了一些計算的東西，這次總結一些設計法則。
柵極電阻：其目的是改善控制脈沖上升沿和下降沿的斜率，并且防止寄生電感與電容振蕩，限制IGBT集電極電壓的尖脈沖值。
...
作者：yzhu05
嘗試去計算IGBT的開(kāi)啟過(guò)程，主要是時(shí)間和門(mén)電阻的散熱情況。
C.GE 柵極-發(fā)射極電容
C.CE 集電極-發(fā)射極電容
C.GC 門(mén)級-集電極電容（米勒電容）
Cies = CGE + ...
作者：yzhu05
籌備了一段時(shí)間，也找了不少的資料將準備開(kāi)始整理和學(xué)習IGBT的材料。
IGBT 的資料有很多，如果想找，可以在baidu文檔里面找中文的資料，也可以在google找pdf的英文資料。粗 ...
作者：yzhu05
我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：
Cgs：由源極和溝道區域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結果。第一JFET區 ...
作者：yzhu05
我們在應用MOS管和設計MOS管驅動(dòng)的時(shí)候，有很多寄生參數，其中最影響MOS管開(kāi)關(guān)性能的是源邊感抗。寄生的源邊感抗主要有兩種來(lái)源，第一個(gè)就是晶圓DIE和封裝之間的Bonding線(xiàn)的感 ...
隨著(zhù)雷達技術(shù)的不斷進(jìn)步，具有顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn)的相控陣雷達成為現代雷達的主流技術(shù)。由于相控陣雷達設備量越來(lái)越大，機內測試控制系統的研制開(kāi)發(fā)越來(lái)越被重視。而雷達供電電源系統作為雷達上各分系統的 ...
在我國石油開(kāi)采中，稠油井的比例占相當大一部分，這類(lèi)井原油粘度高、凝固點(diǎn)高、密度大、含蠟量高，難以開(kāi)采。目前國內外開(kāi)采這類(lèi)油井的最廣泛效果最好的采油工藝技術(shù)是稠油熱采。采用空心桿電加 ...
1 引言
許多電子系統都需要開(kāi)關(guān)電源。開(kāi)關(guān)電源的電路多種多樣，其中已有許多采用控制芯片�？刂菩酒灰偻饨右恍┢骷纯山M成開(kāi)關(guān)電源，從而大大簡(jiǎn)化了電路設計。
FA5310是日本富士電機 ...
