可控硅過(guò)零觸發(fā)器KJ009組成的應用電路圖

發(fā)布時(shí)間:2011-2-14 13:37    發(fā)布者:eetech
KJ009的基本性能與KJ004相同,可以互換使用。由于器件內部采用了反向阻斷四級硅晶閘管作脈沖記憶,提高了抗干擾能力和觸發(fā)脈沖的前沿陡度,脈沖的寬度有較大的調節范圍。該電路適用于單相、三相全控橋式供電裝置中作可控硅的雙路脈沖移相觸發(fā)。兩路相位差180°的移相脈沖可以方便地構成全控橋式觸發(fā)線(xiàn)路。該電路具有輸出負載能力大、鋸齒波性能好、正負半周脈沖相位均衡性好、移相范圍寬、對同步電壓要求低、有脈沖列調制輸出端等功能和特點(diǎn)。 電參數如下:電源電壓:直流+15V,-15V,允許波動(dòng)±5%(±10%功能正常)。電源電流:正電流≤15mA,負電流≤10mA。同步電壓:任意值。同步輸入端允許最大同步電流:6 mA(有效值)。移相范圍:≥170°(同步電壓30V,同步輸入電阻15kΩ)。鋸齒波幅度:≥10V(幅度以鋸齒波出現平頂為準)。輸出脈沖: a.脈沖寬度:400μs~2ms(改變脈寬阻容元件達到)。 b.脈沖幅度:>13V。 c.最大輸出能力:l00mA(流出脈沖電流)。輸出反壓:BVceo≥18V(測試條件:Ie≤100μA)。正負半周脈沖相位不均衡度≤±3°。 KJ009采用雙列直插l6腳封裝,如圖所示。



KJ009引腳圖 KJ009由同步檢測電路,鋸齒波形成電路,移相電壓、偏移電壓和鋸齒波電壓綜合比較放大電路、脈沖記憶電路及功率放大電路等部分組成。由KJ009組成的應用電路如圖所示。



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