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鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據P-N結的原理，只要用萬(wàn)用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。 陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）。 控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大�？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。 若測得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞。 |
