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“在純凈的硅、鍺中摻入少量的III族雜質(zhì)元素硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、后,能使空穴增多,成為p型硅或鍺。我們以硼摻入硅為例來(lái)說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題。硼是III族元素,硼原子最外層只有三個(gè)價(jià)電子,硼原子進(jìn)入硅晶格后,取代了硅原子的位置。硼取代硅后,硼原子同周?chē)乃膫(gè)硅原子組成共價(jià)鍵時(shí),還缺少一個(gè)電子,形成一個(gè)空穴狀態(tài),很容易從共價(jià)鍵中接受一個(gè)電子,把空穴狀態(tài)轉移到共價(jià)鍵里面去。共價(jià)鍵的空狀態(tài)就是空穴。因此,在通常條件下?lián)饺胍粋(gè)硼原子,硅里面就相應的增加一個(gè)空穴。這些III族雜質(zhì)在硅、鍺中能接受價(jià)電子,所以稱(chēng)為受主雜質(zhì)。純凈半導體中摻入受主雜質(zhì)后,增加了導電空穴,我們把主要依靠空穴導電的半導體叫做空穴型或p型半導體。
摘自《半導體物理基礎》鄭福潔 吳士忠 編 江蘇科學(xué)技術(shù)出版社 1981 |
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