|
新產(chǎn)品組合憑借創(chuàng )新的刻蝕技術(shù)和化學(xué)成分在競爭中脫穎而出，以支持先進(jìn)邏輯和存儲器解決方案的開(kāi)發(fā) 泛林集團 (NASDAQ: LRCX) 宣布推出一系列新的選擇性刻蝕產(chǎn)品，這些產(chǎn)品應用突破性的晶圓制造技術(shù)和創(chuàng )新的化學(xué)成分，以支持芯片制造商開(kāi)發(fā)環(huán)柵 (GAA) 晶體管結構。 泛林集團的選擇性刻蝕產(chǎn)品組合包含三款新產(chǎn)品——Argos®、Prevos™ 和 Selis®，為先進(jìn)邏輯和存儲器半導體解決方案的設計和制造提供了強大優(yōu)勢。 
集成了泛林集團最新Prevos和Selis的設備系統 隨著(zhù)現代技術(shù)和器件的不斷發(fā)展，對提高性能和效率所需的更高器件密度的需求也在增加。 為了跟上摩爾定律的步伐，芯片制造商目前正在開(kāi)發(fā)垂直晶體管架構——這是一種非常復雜的工藝，需要超高選擇性、精密刻蝕和均勻的各向同性材料去除，同時(shí)不改變或損壞其他關(guān)鍵材料層。 泛林集團的選擇性刻蝕解決方案提供支持先進(jìn)邏輯納米片或納米線(xiàn)形成所需的超高、可調選擇性和無(wú)損傷的材料去除，使芯片制造商能夠在 DRAM 達到其平面微縮極限后實(shí)現從平面結構到三維結構的又一次進(jìn)化式飛躍。 泛林集團的這一選擇性刻蝕產(chǎn)品是與全球最具創(chuàng )新精神的邏輯和晶圓芯片制造商合作開(kāi)發(fā)而成的，已被三星電子等行業(yè)領(lǐng)導者的晶圓廠(chǎng)使用，以支持先進(jìn)邏輯晶圓開(kāi)發(fā)過(guò)程中的近十多個(gè)關(guān)鍵步驟。 三星半導體研發(fā)中心專(zhuān)家Keun Hee Bai 博士表示：“半導體行業(yè)不斷向更強大和更快的器件能力邁進(jìn)。 隨著(zhù)器件的密度和復雜性不斷大幅提升，選擇性刻蝕技術(shù)對于制造我們最先進(jìn)的邏輯器件至關(guān)重要。隨著(zhù)全球對三星技術(shù)的需求持續攀升，我們依靠選擇性刻蝕產(chǎn)品所具有的各種創(chuàng )新技術(shù)和能力來(lái)提升產(chǎn)能并加速我們的邏輯器件路線(xiàn)圖，以推出先進(jìn)邏輯環(huán)柵器件，甚至更先進(jìn)的器件�！� 泛林集團的選擇性刻蝕產(chǎn)品組合由三個(gè)新設備組成： • Argos——具有革命性的 MARS™（Metastable Activated Radical Source，亞穩態(tài)活性自由基源）技術(shù)——能夠選擇性地改性和凈化晶圓表面。 其突破性的處理和調整能力使芯片制造商能夠精確地處理、優(yōu)化晶圓表面，以獲得最佳性能。 • Prevos 通過(guò)將新型化學(xué)成分和創(chuàng )新的蒸汽技術(shù)與靈活的溫度控制相結合，實(shí)現氧化物、硅和金屬的原子層精度的超高選擇性刻蝕。 Prevos 利用了由泛林集團開(kāi)發(fā)的全新專(zhuān)有化學(xué)技術(shù)解決方案，可以添加額外的化學(xué)成分來(lái)滿(mǎn)足芯片制造商的生產(chǎn)需求。 • Selis 獨具一格地采用自由基和熱刻蝕能力，能夠實(shí)現超高選擇性刻蝕和從上到下均勻的工藝控制，而不會(huì )損壞晶圓結構。 • Prevos 和 Selis 也可以作為單一的集成設備交付，以提供獨特的多層選擇性刻蝕、更好的排隊時(shí)間控制和最大的生產(chǎn)靈活性。
泛林集團總裁兼首席執行官 Tim Archer 表示：“泛林集團正在推動(dòng)晶圓制造技術(shù)的發(fā)展，以支持芯片行業(yè)向 3D 架構轉變，并使下一代數字技術(shù)成為現實(shí)。 40 多年來(lái)，泛林集團在刻蝕技術(shù)創(chuàng )新方面一直引領(lǐng)行業(yè)。 我們很自豪能夠延續這一傳統，為當今市場(chǎng)上的先進(jìn)邏輯和存儲器提供最先進(jìn)的選擇性刻蝕解決方案組合�！� |
