抗干擾過(guò)EMI認證原理-升壓恒流芯片FP7209M攝影燈車(chē)燈太陽(yáng)能應用

amyqing

1大電流路徑走線(xiàn)要粗，鋪銅走線(xiàn)最佳。

2開(kāi)關(guān)切換連接點(diǎn) L1、Q2 的 Drain 與 D1，走線(xiàn)要短與粗，鋪銅走線(xiàn)最佳。

3 輸入電容 C6 靠近 HVDD 與 GND Pin，達到穩壓與濾波功效。

4 取樣電阻 Rs 靠近 FB 與 GND Pin。 ¾ 電感電流檢測電阻 RCS 靠近 CS 與 GND Pin。 ¾ R11,R12 靠近 OVP 與 GND Pin。 ¾ FB Pin 遠離開(kāi)關(guān)切換點(diǎn) L1、Q2 的 Drain 與 D1，避免受到干擾。

5 輸入電容 C1,C2 的地、輸出電容 C7,C8 與 RCS的地，鋪銅走線(xiàn)，上下層地多打洞連接。

6 輸出電容 C7,C8 的地一定要靠近 RCS的地，可以降低開(kāi)關(guān)切換突波，降低輸出高頻噪聲。

7 板子多余空間建議鋪地

EMI策略

R8 使用磁珠規格如下，C11=1nF 靠近 Q2 Gate 端，R9 與 C9 兩者靠近，且要靠近 Q2 的 Drain與 Source 端；R10 與 C10 兩者靠近，且要靠近 D1，輸出電容 C8 的地一定要靠近 Rcs 的地。