大聯(lián)大旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件的48V/120A BMS方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的展示板圖 BMS（電池管理系統）被稱(chēng)為電池保姆或電池管家，其主要功能是智能化管理及維護各個(gè)電池單元，監控電池運行的狀態(tài)、防止其出現過(guò)充電和過(guò)放電的情況，從而延長(cháng)電池的使用壽命。當前，市面上的電池管理系統大多數采用Si MOS設計，由于Si MOS具有寄生二極管，必須成對使用，才能進(jìn)行充/放電電流的控制。為突破此限制，大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件推出48V/120A BMS方案，能夠一顆產(chǎn)品替代兩顆Si MOS，在顯著(zhù)降低開(kāi)發(fā)成本的同時(shí)，減少PCB占板面積。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的場(chǎng)景應用圖 INV100FQ030C是英諾賽科基于先進(jìn)VGaN技術(shù)自研的雙向導通100V硅基氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管，該產(chǎn)品采用4mm×6mm FCQFN封裝，支持雙向導通和雙向截止，導通電阻僅為100V/3.2mΩ，且具備無(wú)反向恢復、超低柵極電荷等特性，適用于BMS管理系統、雙向變換器的高側負荷開(kāi)關(guān)、電源系統中的開(kāi)關(guān)電路等應用。 在BMS應用中，當系統需要正常充電或者正常放電時(shí)，可以通過(guò)在Gate-D1或者Gate-D2之間施加5V驅動(dòng)電壓，將VGaN完全打開(kāi)，以此實(shí)現系統的充電或者放電。當系統需要充電保護或者放電保護時(shí)，VGaN的Gate信號可以被主動(dòng)連接到D1或D2，實(shí)現系統充電關(guān)斷或者放電關(guān)斷，同時(shí)利用VGaN的“體二極管”特性，電路可以實(shí)現充電保護后放電，或者放電保護后充電功能，從而可以實(shí)現一顆VGaN替換一對CHG、DSG MOS的設計。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的方塊圖 在同等100A負載電流情況下，傳統的Si MOS串并聯(lián)BMS方案需要多達20顆器件才能達到所需的性能。而采用基于VGaN器件的BMS方案，僅需8顆產(chǎn)品即可滿(mǎn)足100A溫升需求，不僅將器件數量減少一半以上，而且在熱性能上也表現出顯著(zhù)優(yōu)勢。 核心技術(shù)優(yōu)勢： 小體積：65mm×165mm，PCB占板面積及PCB成本比Si MOS降低40%； 兼容性：采用目前主流的低邊AFE進(jìn)行充放電控制，使用專(zhuān)門(mén)設計的邏輯轉換電路兼容當前Si方案的CHG/DSG控制邏輯； 散熱性能好：綜合考慮VGaN的封裝特點(diǎn)，優(yōu)化PCB布局，實(shí)現最佳散熱性能； 雙向導通：英諾賽科VGaN（INV100FQ030C）以一顆替代多顆Si MOS，降低成本。 方案規格： 電池類(lèi)型：三元鋰或磷酸鐵鋰； 電池串數：16串； 常規放電電流：100A（typical）/120A（heatsink）； 短路保護電流：200A。 |
