MOSFET 晶體管：STF22NM60N，QCPL-A58JV-500E，IPB029N15NM6

xingjijinhua

STF22NM60N 600V MDmesh™ II N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述
STF22NM60N 是采用第二代 MDmesh™ 技術(shù)開(kāi)發(fā)的 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。

特性
100% 經(jīng)過(guò)雪崩測試
低輸入電容和柵極電荷
低柵極輸入電阻

應用
開(kāi)關(guān)應用

帶 R2Coupler™ 隔離功能的 QCPL-A58JV-500E 汽車(chē)光 MOSFET

產(chǎn)品描述
QCPL-A58JV-500E 由一個(gè) AlGaAs 紅外發(fā)光二極管 (LED) 輸入級與一個(gè)高壓輸出檢測器電路光學(xué)耦合組成。檢測器由高速光電二極管陣列和驅動(dòng)電路組成，用于接通/斷開(kāi)兩個(gè)分立式高壓 MOSFET。光 MOSFET 打開(kāi)（觸點(diǎn)閉合）時(shí)，通過(guò)輸入 LED 的最小輸入電流為 7 mA。輸入電壓為 0.4V 或更低時(shí)，光 MOSFET 關(guān)斷（觸點(diǎn)打開(kāi)）。

特性
擊穿電壓，BVDSS：IDSS = 250 µA 時(shí)為 1500V
雪崩額定 MOSFET
低關(guān)態(tài)漏電：
- 在 VDS = 1000V 時(shí)，QCPL-A58JV 的 IOFF < 1 µA
- VDS = 1000V 時(shí)，QCPL-A58JT 的 IOFF < 5 µA
導通電阻，在 ILOAD = 10 mA 時(shí)，RDS(ON) < 250Ω
開(kāi)啟時(shí)間： TON < 4 ms
關(guān)斷時(shí)間： TOFF < 0.5 ms
封裝：300 密耳 SO-16
爬電距離和間隙 ≥ 8 mm（輸入-輸出）
間隙 > 5 mm（MOSFET 漏極引腳之間）
安全和監管認證：
- IEC/EN/DIN EN 60747-5-5
- 最大工作絕緣電壓 1414 VPEAK
- 1 分鐘 5000 VRMS，符合 UL1577 標準
- CSA 元件驗收

應用
電池絕緣電阻測量/泄漏檢測
用于檢測電池的 BMS 飛行電容器拓撲結構

IPB029N15NM6 150V OptiMOS™ 6 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品說(shuō)明
IPB029N15NM6 OptiMOS™ 6 150 V 正常電平在競爭激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng )造了新的性能水平。

OptiMOS™ 6 150 V 技術(shù)旨在滿(mǎn)足高、低開(kāi)關(guān)頻率應用以及硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)的要求。

特點(diǎn)
RDS(on) 比 OptiMOS™ 5 低 40
150 V 時(shí)的業(yè)界最低 Qrr
與 OptiMOS™ 5 相比，二極管軟性得到改善
+/-500 mV 的嚴格 Vgs(th) 分布
高雪崩堅固性
最大 Tj 為 175°C 和 MSL1

優(yōu)勢
低導通和開(kāi)關(guān)損耗
穩定運行，改善 EMI
并聯(lián)時(shí)可更好地分擔電流
穩健性增強
提高系統可靠性

應用
輕型電動(dòng)汽車(chē) (LEV)
電機控制
電動(dòng)工具

明佳達，星際金華供應MOSFET 晶體管：STF22NM60N，QCPL-A58JV-500E，IPB029N15NM6