技術(shù)落后、市場(chǎng)下滑，韓國半導體大敗退

工程新聞

據韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱(chēng)，三星電子近期已與中國存儲芯片廠(chǎng)商簽署了開(kāi)發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專(zhuān)利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產(chǎn)品（430層）開(kāi)始使用該專(zhuān)利技術(shù)來(lái)進(jìn)行制造。

除了三星，ZDNET Korea還強調，韓國另一大存儲芯片巨頭SK海力士的下一代NAND閃存芯片的核心專(zhuān)利，也需要依賴(lài)中國，預計SK海力士也將與中國存儲芯片廠(chǎng)商簽署專(zhuān)利協(xié)議。

業(yè)內人士指出，目前掌握3D NAND混合鍵合關(guān)鍵專(zhuān)利的公司主要來(lái)自美國和中國，而三星、SK海力士等韓國半導體企業(yè)幾乎無(wú)法繞開(kāi)中國半導體企業(yè)的專(zhuān)利布局。

與此同時(shí)，市場(chǎng)研究公司Gartner的最新數據顯示，三星電子正面臨DRAM和NAND閃存盈利能力下滑的困境，業(yè)績(jì)表現欠佳。多重因素疊加，使得三星不得不正視自身在專(zhuān)利方面的局限性，并與中國半導體企業(yè)達成合作，以提升其存儲板塊的競爭力。

隨著(zhù)中國半導體企業(yè)的崛起，韓國多家半導體企業(yè)已經(jīng)在專(zhuān)利布局上落入下風(fēng)。集微咨詢(xún)發(fā)布的《2024年中國大陸半導體制造企業(yè)專(zhuān)利實(shí)力榜單》顯示，中芯國際、長(cháng)鑫存儲、長(cháng)江存儲、華虹宏力等企業(yè)名列前茅。在國際視野榜單中，長(cháng)鑫存儲和長(cháng)江存儲分別位列第一、第二位，其多元專(zhuān)利布局體現出積極參與國際行業(yè)進(jìn)步的戰略眼光。

知識產(chǎn)權法律公司Mathys&squire的最新報告也顯示，2023-2024年中國專(zhuān)利申請數量猛增42%，從32840件增至46591件，同比增長(cháng)42%，在所有地區中增長(cháng)最為強勁，超過(guò)包括韓國在內的其他地區。這表明中國半導體行業(yè)在中美技術(shù)競爭的背景下展現出強大韌性。

面對增長(cháng)困境，韓國半導體行業(yè)也在反思。據韓聯(lián)社23日報道，韓國科技評估與規劃研究院（KISTEP）發(fā)布的一份調查顯示，韓國在大多數半導體技術(shù)領(lǐng)域已被中國趕超。例如，在高集成度、低阻抗存儲技術(shù)方面，韓國得分為90.9%，低于中國的94.1%；在高性能、低功耗AI半導體領(lǐng)域，韓國得分為84.1%，落后于中國的88.3%。此外，在功率半導體和新一代高性能傳感技術(shù)方面，韓國也均落后于中國。

與此同時(shí)，韓國半導體行業(yè)的“最后防線(xiàn)”——HBM板塊也面臨來(lái)自中美的壓力。美光目前已向英偉達的AI芯片供應8層HBM3E芯片，盡管其市場(chǎng)份額仍遠低于12層HBM3E芯片的領(lǐng)導者SK海力士，但領(lǐng)先于三星電子的HBM產(chǎn)品和市場(chǎng)進(jìn)度。近日還有消息指出，美光即將開(kāi)始量產(chǎn)其12層堆棧的HBM，并將其供應給英偉達。然而，美光在趕超了三星電子之后，如今還正努力在今年晚些時(shí)候幾乎與SK海力士同步量產(chǎn)16層HBM3E。

值得注意的是，3月6日美光突然宣布關(guān)鍵人事任命，其中臺積電前董事長(cháng)劉德音加入董事會(huì )備受關(guān)注。業(yè)內人士分析，劉德音豐厚的履歷能夠在芯片制造、海外建廠(chǎng)、AI技術(shù)與市場(chǎng)判斷等方面給予美光強援。近兩年面對激烈的市場(chǎng)競爭和復雜環(huán)境，美光頹勢不斷顯現，不僅在先進(jìn)制程上與臺積電等差距不斷拉大，更是在印度、墨西哥等地海外建廠(chǎng)上面臨地緣政治的風(fēng)險，劉德音在技術(shù)革新與風(fēng)控方面是業(yè)內的頂尖專(zhuān)家，然而在美光如此內外交困的背景下加盟能否力挽狂瀾，仍有待時(shí)間的檢驗。

國內方面，專(zhuān)家指出，中國Deepseek的出現也將對韓國HBM產(chǎn)業(yè)構成重大沖擊。Deepseek證明，AI模型可以在較低規格的HBM支持下實(shí)現高性能。如果越來(lái)越多的AI企業(yè)效仿Deepseek，采用低成本、低規格芯片來(lái)實(shí)現高性能AI模型，韓國高端HBM的市場(chǎng)需求將受到更嚴重的沖擊。中國企業(yè)盡管在HBM領(lǐng)域依然落后韓國企業(yè)，但正加速追趕，試圖在HBM等高附加值領(lǐng)域實(shí)現突破。此外，中國企業(yè)在A(yíng)I芯片設計、封裝測試等領(lǐng)域的進(jìn)步，也為HBM的國產(chǎn)化奠定了基礎。

韓國半導體企業(yè)在復雜的局勢下，正面臨著(zhù)技術(shù)趕超和市場(chǎng)競爭力上的雙重壓力。而這對于中國半導體行業(yè)而言是一個(gè)重大的機遇，盡管美國政府在半導體領(lǐng)域施加了全方位的壓力，但憑借自身的技術(shù)積累和突破，中國企業(yè)或將能捕捉更多機會(huì )。