|
全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭格局正經(jīng)歷深刻變革，據韓國ZDNet Korea近日披露，三星電子已與中國存儲芯片企業(yè)簽署混合鍵合技術(shù)專(zhuān)利授權協(xié)議，該技術(shù)將應用于其第十代430層NAND閃存制造。這標志著(zhù)韓國半導體巨頭在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域開(kāi)始轉向中國尋求突破。 技術(shù)版圖重構下的雙向選擇 混合鍵合作為3D NAND堆疊技術(shù)的核心，其專(zhuān)利布局正成為產(chǎn)業(yè)競爭的關(guān)鍵戰場(chǎng)。行業(yè)數據顯示，當前該領(lǐng)域關(guān)鍵專(zhuān)利主要集中在中美企業(yè)手中，迫使韓國存儲雙雄不得不調整策略。SK海力士同樣面臨類(lèi)似處境，其下一代NAND閃存技術(shù)研發(fā)也需與中國企業(yè)達成專(zhuān)利合作。 市場(chǎng)研究機構Gartner最新報告揭示了韓國半導體企業(yè)的現實(shí)困境：三星電子DRAM與NAND閃存業(yè)務(wù)利潤率持續下滑，SK海力士雖在HBM3E芯片市場(chǎng)保持領(lǐng)先，但面臨美光等對手的強勢追擊。這種技術(shù)瓶頸與市場(chǎng)壓力的雙重擠壓，促使韓國企業(yè)重新審視與中國同行的競合關(guān)系。 專(zhuān)利版圖見(jiàn)證實(shí)力逆轉 中國半導體企業(yè)的技術(shù)積累正引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局質(zhì)變，集微咨詢(xún)發(fā)布的《2024年中國大陸半導體制造企業(yè)專(zhuān)利實(shí)力榜單》顯示，中芯國際、長(cháng)鑫存儲、長(cháng)江存儲、華虹宏力等企業(yè)名列前茅。在國際視野榜單中，長(cháng)鑫存儲和長(cháng)江存儲分別位列第一、第二位，其多元專(zhuān)利布局體現出積極參與國際行業(yè)進(jìn)步的戰略眼光。另?yè)﨧athys&Squire機構數據顯示，2023-2024年中國半導體專(zhuān)利申請量同比激增42%，達到46591件，增速遠超韓國等傳統強國。 韓國科技評估院最新調查印證了這種趨勢逆轉：在存儲技術(shù)等15個(gè)關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，中國已在11個(gè)領(lǐng)域實(shí)現反超。特別是在高集成存儲技術(shù)（94.1% vs 90.9%）等核心指標上，中韓技術(shù)差距持續擴大。 HBM防線(xiàn)遭遇多維沖擊 被視為韓國半導體"最后堡壘"的HBM領(lǐng)域正面臨中美企業(yè)的合圍。美光已向英偉達供應8層HBM3E芯片，并計劃年內同步SK海力士量產(chǎn)16層產(chǎn)品。值得關(guān)注的是，臺積電前董事長(cháng)劉德音加入美光董事會(huì )，其技術(shù)決策與風(fēng)險管控經(jīng)驗或將影響產(chǎn)業(yè)競爭格局。近兩年面對激烈的市場(chǎng)競爭和復雜環(huán)境，美光頹勢不斷顯現，不僅在先進(jìn)制程上與臺積電等差距不斷拉大，更是在印度、墨西哥等地海外建廠(chǎng)上面臨地緣政治的風(fēng)險，劉德音在技術(shù)革新與風(fēng)控方面是業(yè)內的頂尖專(zhuān)家，然而在美光如此內外交困的背景下加盟能否力挽狂瀾，仍有待時(shí)間的檢驗。 中國企業(yè)的創(chuàng )新突破更添變數。深度求索（Deepseek）的實(shí)踐表明，AI模型可通過(guò)優(yōu)化算法在低規格HBM上實(shí)現高性能，這種技術(shù)路徑若形成趨勢，或將動(dòng)搖韓國高端HBM的市場(chǎng)根基。盡管當前中國HBM技術(shù)仍處追趕階段，但在芯片設計、先進(jìn)封裝等配套領(lǐng)域的快速進(jìn)步，正為產(chǎn)業(yè)突破積蓄能量。 在這場(chǎng)全球半導體產(chǎn)業(yè)變局中，中國企業(yè)展現出戰略定力，通過(guò)持續的技術(shù)積累和專(zhuān)利布局，不僅突破了外部技術(shù)封鎖，更在多個(gè)細分領(lǐng)域形成反超態(tài)勢。對于韓國半導體產(chǎn)業(yè)而言，如何平衡技術(shù)合作與自主創(chuàng )新，在守住既有優(yōu)勢的同時(shí)開(kāi)辟新賽道，將成為決定未來(lái)競爭地位的關(guān)鍵。而中國半導體產(chǎn)業(yè)的崛起軌跡，正為全球技術(shù)博弈提供新的注解。 |
