AMEYA360:兆易創(chuàng )新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

發(fā)布時(shí)間:2025-3-12 16:04    發(fā)布者:AMEYA360皇華
 兆易創(chuàng )新今日宣布推出專(zhuān)為1.2V SoC應用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無(wú)需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實(shí)現無(wú)縫兼容,此產(chǎn)品的面世將進(jìn)一步強化兆易創(chuàng )新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰略布局。憑借更高的性能和更低的功耗,GD25NE系列可充分滿(mǎn)足市場(chǎng)對于先進(jìn)嵌入式存儲解決方案日益增長(cháng)的需求,成為智能可穿戴設備、醫療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數據中心及邊緣人工智能應用的理想選擇。
  GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供電電壓為1.8V,IO接口電壓為1.2V,支持單通道、雙通道、四通道、雙沿四通道模式,最高時(shí)鐘頻率為STR 133MHz,DTR 104MHz。GD25NE系列的寫(xiě)入時(shí)間典型值為0.15ms,扇區擦除時(shí)間為30ms,其與常規1.2V單電壓供電的Flash解決方案相比,數據讀取性能提升了20%,寫(xiě)入速度提升60%,擦除時(shí)間縮短30%。憑借這些技術(shù)優(yōu)勢,GD25NE系列成為新興嵌入式應用的卓越之選。
  為進(jìn)一步滿(mǎn)足能耗敏感型應用的需求,GD25NE系列采用超低功耗設計。其深度睡眠功耗電流低至0.2µA,在雙沿四通道104MHz頻率下的讀取電流低至9mA,擦寫(xiě)電流低至8mA。與傳統的1.8V Flash解決方案相比,GD25NE系列的1.2V IO接口設計可將功耗降低50%。這一優(yōu)化的電源架構不僅顯著(zhù)提升了能效,還保持了Flash器件的高性能表現,同時(shí)簡(jiǎn)化了SoC的系統設計。
  “GD25NE系列作為雙電源SPI NOR Flash品類(lèi)的代表,實(shí)現了高性能與超低功耗的完美平衡,”兆易創(chuàng )新副總裁、存儲事業(yè)部總經(jīng)理蘇如偉表示,“憑借顯著(zhù)降低的功耗、更快的讀取速度以及更高的擦寫(xiě)效率,GD25NE系列能夠滿(mǎn)足新一代1.2V SoC持續演進(jìn)的需求。未來(lái),兆易創(chuàng )新還將不斷拓展雙電源SPI NOR Flash的產(chǎn)品組合,致力于為客戶(hù)提供更高效、更可靠、更前沿的閃存解決方案,助力創(chuàng )新應用的發(fā)展!

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