IPB180N10S403ATMA1-VB 與 AI 的融合:開(kāi)啟功率器件智能化新時(shí)代

發(fā)布時(shí)間:2025-3-21 14:10    發(fā)布者:VBsemi
在人工智能(AI)技術(shù)飛速發(fā)展的今天,高效、穩定的硬件支持成為了推動(dòng)AI應用落地的關(guān)鍵。微碧半導體(VBsemi)最新推出的IPB180N10S403ATMA1-VB單N溝道場(chǎng)效應晶體管,憑借其卓越的性能和先進(jìn)的SGT(Super-Grain Technology)技術(shù),為AI領(lǐng)域的各類(lèi)模塊提供了強有力的支持。

高性能,助力AI計算
IPB180N10S403ATMA1-VB的最大漏極電流高達180A,能夠在高負載環(huán)境下穩定運行,確保AI計算模塊在高強度運算中不會(huì )因電流不足而出現性能瓶頸。同時(shí),其導通電阻僅為3mΩ(VGS=10V),有效降低了能量損耗,提升了整體能效,特別適合需要長(cháng)時(shí)間運行的AI服務(wù)器和數據中心。

低功耗,優(yōu)化能效比
AI應用中,能效比是一個(gè)至關(guān)重要的指標。IPB180N10S403ATMA1-VB的低導通電阻和3V的閾值電壓,使其在低電壓環(huán)境下也能保持高效工作,顯著(zhù)降低了功耗。這對于需要大規模部署的AI設備,如智能攝像頭、自動(dòng)駕駛系統等,意味著(zhù)更長(cháng)的續航時(shí)間和更低的運營(yíng)成本。

高可靠性,保障AI系統穩定運行
AI系統往往需要24/7全天候運行,任何硬件故障都可能導致嚴重后果。IPB180N10S403ATMA1-VB采用TO263-7L封裝,具有良好的散熱性能和機械強度,能夠在惡劣環(huán)境下保持穩定工作。其最大漏極-源極電壓為100V,門(mén)極-源極電壓為±20V,確保了在高電壓環(huán)境下的安全性和可靠性。

廣泛適用,覆蓋多場(chǎng)景AI應用
無(wú)論是AI服務(wù)器、數據中心,還是自動(dòng)駕駛、智能家居,IPB180N10S403ATMA1-VB都能勝任。其高性能和低功耗特性,使其成為各類(lèi)AI模塊的理想選擇。特別是在需要高電流、低功耗的AI推理和訓練場(chǎng)景中,IPB180N10S403ATMA1-VB的表現尤為出色。

微碧半導體的IPB180N10S403ATMA1-VB,憑借其高性能、低功耗和高可靠性,為AI領(lǐng)域的各類(lèi)應用提供了強有力的硬件支持。在A(yíng)I技術(shù)不斷進(jìn)步的今天,選擇IPB180N10S403ATMA1-VB,就是選擇了高效、穩定和可靠的未來(lái)。


IPB180N10S403ATMA1-VB.pdf

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