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[供應] LPDDR4存儲器MT53E128M32D2DS-053 IT:A,MOSFET晶體管STW40N95K5,STTH30RQ06GY整流器

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發(fā)表于 2025-3-22 10:43:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
關(guān)鍵詞: STW40N95K5 , STTH30RQ06GY
明佳達,星際金華供應 LPDDR4存儲器MT53E128M32D2DS-053 IT:A,MOSFET晶體管STW40N95K5,STTH30RQ06GY整流器



MT53E128M32D2DS-053 IT:A 4Gbit 移動(dòng) LPDDR4 內存 IC

產(chǎn)品描述
MT53E128M32D2DS-053 IT:A 是 4Gbit SDRAM - 移動(dòng) LPDDR4 存儲器 IC,封裝為 200-WFBGA (10x14.5)。

MT53E128M32D2DS-053 IT:A 的規格
電壓 - 電源:1.1V
工作溫度:-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:200-WFBGA

特性
密度 4Gb
寬度:x32
FBGA 代碼 D9ZBK
技術(shù): LPDDR4 LPDDR4

STW40N95K5 950V MDmesh™ K5 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述
STW40N95K5 是超高壓 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。它采用基于創(chuàng )新專(zhuān)有垂直結構的 MDmesh™ K5 技術(shù)設計。因此,導通電阻大幅降低,柵極電荷超低,適用于要求超高功率密度和高效率的應用。

特點(diǎn)
業(yè)界最低的 RDS(on) x 面積
業(yè)界最佳性能系數(FoM)
超低柵極電荷
100% 通過(guò)雪崩測試
齊納保護

應用
開(kāi)關(guān)應用

STTH30RQ06GY 600V 超快速恢復整流器

產(chǎn)品描述
STTH30RQ06GY 是汽車(chē)渦輪 2 超高速高壓整流器。該產(chǎn)品專(zhuān)為需要對 LLC 全橋拓撲結構進(jìn)行高壓次級整流的應用而開(kāi)發(fā)。
STTH30RQ06GY 還適用于開(kāi)關(guān)電源、汽車(chē)應用和工業(yè)應用,可用作整流、續流和箝位二極管。

特點(diǎn)
高結溫能力
超快軟恢復特性
低反向電流
熱阻低
降低開(kāi)關(guān)和傳導損耗
支持 PPAP
AK HV 爬電距離(陽(yáng)極到陰極)= 最小 5.38 mm(帶頂部涂層)
VRRM 保證溫度范圍為 -40 °C 至 175 °C
符合 ECOPACK®2 標準(DO-247、TO-220AC)

應用
輸出整流
PFC
不間斷電源
空調
充電站



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