LPDDR4存儲器MT53E128M32D2DS-053 IT:A，MOSFET晶體管STW40N95K5，STTH30RQ06GY整流器

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明佳達，星際金華供應 LPDDR4存儲器MT53E128M32D2DS-053 IT:A，MOSFET晶體管STW40N95K5，STTH30RQ06GY整流器



MT53E128M32D2DS-053 IT:A 4Gbit 移動(dòng) LPDDR4 內存 IC

產(chǎn)品描述
MT53E128M32D2DS-053 IT:A 是 4Gbit SDRAM - 移動(dòng) LPDDR4 存儲器 IC，封裝為 200-WFBGA (10x14.5)。

MT53E128M32D2DS-053 IT:A 的規格
電壓 - 電源：1.1V
工作溫度：-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：200-WFBGA

特性
密度 4Gb
寬度：x32
FBGA 代碼 D9ZBK
技術(shù)： LPDDR4 LPDDR4

STW40N95K5 950V MDmesh™ K5 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述
STW40N95K5 是超高壓 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。它采用基于創(chuàng )新專(zhuān)有垂直結構的 MDmesh™ K5 技術(shù)設計。因此，導通電阻大幅降低，柵極電荷超低，適用于要求超高功率密度和高效率的應用。

特點(diǎn)
業(yè)界最低的 RDS(on) x 面積
業(yè)界最佳性能系數（FoM）
超低柵極電荷
100% 通過(guò)雪崩測試
齊納保護

應用
開(kāi)關(guān)應用

STTH30RQ06GY 600V 超快速恢復整流器

產(chǎn)品描述
STTH30RQ06GY 是汽車(chē)渦輪 2 超高速高壓整流器。該產(chǎn)品專(zhuān)為需要對 LLC 全橋拓撲結構進(jìn)行高壓次級整流的應用而開(kāi)發(fā)。
STTH30RQ06GY 還適用于開(kāi)關(guān)電源、汽車(chē)應用和工業(yè)應用，可用作整流、續流和箝位二極管。

特點(diǎn)
高結溫能力
超快軟恢復特性
低反向電流
熱阻低
降低開(kāi)關(guān)和傳導損耗
支持 PPAP
D²AK HV 爬電距離（陽(yáng)極到陰極）= 最小 5.38 mm（帶頂部涂層）
VRRM 保證溫度范圍為 -40 °C 至 175 °C
符合 ECOPACK®2 標準（DO-247、TO-220AC）

應用
輸出整流
PFC
不間斷電源
空調
充電站