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DC-DC降壓管理芯片的工作原理基于BUCK拓撲結構，核心是通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)控制實(shí)現電壓轉換與穩定輸出。以下是其關(guān)鍵機制的分點(diǎn)解析： 開(kāi)關(guān)管控制與能量轉換 芯片內部集成功率開(kāi)關(guān)管（如MOSFET），通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作（通常為數百kHz至數MHz）周期性導通和關(guān)斷16。導通時(shí)輸入電源向電感充電，電感儲能；關(guān)斷時(shí)電感釋放能量，通過(guò)續流二極管或同步整流MOSFET維持負載電流46。 輸出電壓由開(kāi)關(guān)占空比（導通時(shí)間與周期比值）決定，遵循公式：Vout = Vin × D（D為占空比）16。 產(chǎn)品描述 H6203L是一種內置150V耐壓MOS，支持輸 入高達120V的高壓降壓開(kāi)關(guān)控制器，可以向負 載提供1.5A的連續電流及最高4A的瞬間電流。 H6203L支持輸出恒定電壓，可以通過(guò)調節VFB 采樣電阻來(lái)設置輸出電壓，同時(shí)支持最大電流 限制，可以通過(guò)修改CS采樣電阻來(lái)設置輸出電 流最大值。典型開(kāi)關(guān)頻率為130KHz，設計有最 小開(kāi)關(guān)頻率5KHz，可以確保良好的輸出動(dòng)態(tài)響 應。在輕型負載下，H6203L將進(jìn)入PWM+PFM 模式，以獲得較高的轉換效率。 H6203L集成軟啟動(dòng)，可大幅度減弱輸入打 火時(shí)產(chǎn)生浪涌對芯片的損壞，同時(shí)集成熱保護、 輸出短路保護、輸出電流限制，提供可靠的容 錯操作。H6203L集成了輸入線(xiàn)路電壓補償和高 帶寬環(huán)路，以滿(mǎn)足±4%的輸出電壓精度。 H6203L支持低輸出電壓應用，最低可帶到3.3V。 H6203L采用ESOP-8封裝，芯片底部設計有 功率散熱焊盤(pán)，連接芯片的VIN輸入端及內置 MOS漏極，可以有效的幫助芯片加大散熱。 產(chǎn)品特征l 內置150V高壓MOS l 寬壓8V-120V輸入范圍l 支持輸出電壓最低可調至3.3Vl 典型的1.5A持續電流及4A峰值瞬間電流l 轉換效率最高可達95%l 低的待機功耗l 輸出線(xiàn)損電壓補償l 輸出電壓精度±4% l 帶軟啟動(dòng)功能(SS) l 帶過(guò)流保護功能(OCP) l 帶過(guò)熱保護功能(OTP) l 帶輸出短路保護功能(SCP) 典型應用l 汽車(chē)充電器、電池充電器l 恒壓電源l GPS定位器，BMS l 電動(dòng)自行車(chē)、扭扭車(chē)、電動(dòng)車(chē)手機充電l MCU模塊供電l 電動(dòng)汽車(chē)變流器l 車(chē)載儀表
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