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韓國浦項科技大學(xué)與中國電子科技大學(xué)的研究團隊合作開(kāi)發(fā)了一項突破性技術(shù)，通過(guò)氣相沉積法制備高性能錫基鈣鈦礦半導體，為下一代顯示器和電子器件的發(fā)展提供了新方向。相關(guān)成果發(fā)表于《自然·電子學(xué)》（Nature Electronics）。 晶體管是電子設備的核心組件，分為n型和p型兩類(lèi)。盡管n型晶體管性能更優(yōu)，但p型晶體管的效率提升對實(shí)現低功耗高速計算至關(guān)重要。傳統錫基鈣鈦礦材料依賴(lài)溶液法制備，存在可擴展性和一致性不足的問(wèn)題。 研究團隊采用熱蒸發(fā)技術(shù)（廣泛應用于OLED電視和半導體芯片制造），成功制備出高質(zhì)量的銫錫碘（CsSnI3）半導體薄膜。通過(guò)添加少量氯化鉛（PbCl2），進(jìn)一步優(yōu)化了薄膜的均勻性和結晶度。最終制得的p型晶體管性能顯著(zhù)提升，空穴遷移率超過(guò)30 cm2/V·s，開(kāi)關(guān)電流比達到10⁸，性能與商用n型氧化物半導體相當，能夠實(shí)現快速信號處理和低功耗運行。 這項技術(shù)不僅解決了溶液法的局限性，還具備與現有OLED生產(chǎn)設備的兼容性，為大規模制造低成本、高性能電子器件奠定了基礎。其低溫加工特性（低于300℃）尤其適合柔性顯示器、可穿戴設備等應用場(chǎng)景。 《每日科學(xué)》網(wǎng)站（www.sciencedaily.com） |
