東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2025-5-26 11:03    發(fā)布者:IC電子圈
四款新器件助力提升工業(yè)設備的效率和功率密度
東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù),并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調節器等工業(yè)設備。四款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。


四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件,與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比,其體積減小90%以上,并提高了設備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件,從而降低開(kāi)關(guān)損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝,支持對其柵極驅動(dòng)的信號源端子進(jìn)行開(kāi)爾文連接。這減少了封裝內部源極線(xiàn)電感的影響,實(shí)現高速開(kāi)關(guān)性能;以TW054V65C為例,與東芝現有產(chǎn)品相比[5],其開(kāi)通損耗降低了約55%,關(guān)斷損耗降低約25%[4],有助于降低設備中的功率損耗。
未來(lái)東芝將繼續擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線(xiàn),為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。




測量條件:VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH,Rg(外部柵極電阻)=4.7Ω
續流二極管采用各產(chǎn)品源極和漏極之間的二極管。(截至2025年5月,東芝對比結果)
圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導通損耗(Eon)和關(guān)斷損耗(Eoff)比較
  • 應用:
  • 服務(wù)器、數據中心、通信設備等的開(kāi)關(guān)電源
  • 電動(dòng)汽車(chē)充電站
  • 光伏逆變器
  • 不間斷電源
  • 特性:
  • DFN8×8表面貼裝封裝,實(shí)現設備小型化和自動(dòng)化組裝,低開(kāi)關(guān)損耗
  • 東芝第3代SiC MOSFET
  • 通過(guò)優(yōu)化漂移電阻和溝道電阻比,實(shí)現漏源導通電阻的良好溫度依賴(lài)性
  • 低漏源導通電阻×柵漏電荷
  • 低二極管正向電壓:VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)
  • 主要規格:
(除非另有說(shuō)明,Ta=25°C)




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注:
[1] 截至2025年5月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 一種信號源引腳靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。
[4] 截至2025年5月,東芝測量值。請參考圖1。
[5] 采用TO-247封裝且無(wú)開(kāi)爾文連接的、具有同等電壓和導通電阻的650V東芝第3代SiC MOSFET。
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TW031V65C
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