克隆芯片（抄芯片）設計流程

◆ 腐蝕 

－塑料封裝外殼的腐蝕，可看到第一層金屬層

     一般采用98%的硫酸加熱蒸煮 

－金屬鋁層的腐蝕，可看到多晶和有源區

     采用熱磷酸 

－有多層金屬時(shí)，去除一層金屬后需要用氫氟酸去二氧化硅 

－去多晶硅，染色看顯現 P阱和N阱

－其它細節處理，縱向結構解剖（SEM掃描電鏡/TEM透射電鏡或摻雜濃度曲線(xiàn)測試，一般需要IC解剖不作，都是標準工藝，分立器件一般需要做）

◆ 照相拼圖

－每腐蝕一層，分區域照相

－每一層金屬拼合圖，每一層多晶拼合圖，有源區拼合圖

－把拼合圖處理成軟件可識別的圖像文件

◆ 提取、整理電路

－數字電路需要歸并同類(lèi)圖形，例如與非門(mén)、或非門(mén)、觸發(fā)器等，同樣的圖形不要分析多次 

－提出的電路用電路繪制軟件繪出，按照易于理解的電路布置，使其他人員也能看出你提取電路的功能

－提取電路的速度完全由提圖人員經(jīng)驗水平確定 

－各組件連接起來(lái)，如果不整理電路是看不出各模塊的連接及功能的

◆ 分析電路

－提取出的電路整理成電路圖，并輸入幾何參數（MOS為寬長(cháng)比） 

－通過(guò)你的分析，電路功能明確，電路連接無(wú)誤 

◆ 仿真驗證，電路調整

－對電路進(jìn)行功能仿真驗證

－模擬電路一般采用Hspice、Cadence等工具，小規模數字電路采用Cadence,Hsim等工具

－根據新的工藝調整電路

－調整后進(jìn)行驗證 

◆ 版圖繪制驗證及后仿真

－根據新的工藝文件繪制版圖

－版圖DRC、LVS，寄生參數提�。―racula,Assura,Calibre等工具）

－提取的網(wǎng)表作仿真驗證，并與前仿結果對比

－版圖導出GDS文件，Tape out