晶圓生產(chǎn)工藝流程介紹

1、 表面清洗

2、 初次氧化

3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。

（1）常壓 CVD (Normal Pressure CVD)

（2）低壓 CVD (Low Pressure CVD)

（3）熱 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)

（4）電漿增強  CVD (Plasma Enhanced CVD)

（5）MOCVD (Metal Organic  CVD) & 分子磊晶成長(cháng) (Molecular Beam Epitaxy) 

（6）外延生長(cháng)法 (LPE) 

4、 涂敷光刻膠   

（1）光刻膠的涂敷 

（2）預烘  (pre bake) 

（3）曝光 

（4）顯影 

（5）后烘  (post bake) 

（6）腐蝕  (etching) 

（7）光刻膠的去除 

5、 此處用干法氧化法將氮化硅去除   

6 、離子布植將硼離子  (B+3)  透過(guò) SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱 

7、 去除光刻膠，放高溫爐中進(jìn)行退火處理   

8、 用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷  (P+5)  離子，形成 N 型阱   

9、 退火處理，然后用 HF 去除 SiO2 層   

10、干法氧化法生成一層 SiO2 層，然后 LPCVD 沉積一層氮化硅   

11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層   

12、濕法氧化，生長(cháng)未有氮化硅保護的 SiO2 層，形成 PN 之間的隔離區  

13、熱磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除柵隔離層位置的 SiO2 ，并重新生成品質(zhì)更好的 SiO2 薄膜 ,  作為柵極氧化層。 

14、LPCVD  沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結構，并氧化生成 SiO2 保護層。   

15、表面涂敷光阻，去除 P 阱區的光阻，注入砷  (As)  離子，形成 NMOS 的源漏極。用同樣的方法，在 N 阱區，注入 B 離子形成 PMOS 的源漏極。   

16、利用 PECVD  沉積一層無(wú)摻雜氧化層，保護元件，并進(jìn)行退火處理。   

17、沉積摻雜硼磷的氧化層   

18、?鍍第一層金屬   

（1）  薄膜的沉積方法根據其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。

（2）  真空蒸發(fā)法（ Evaporation Deposition ）

（3）  濺鍍（ Sputtering Deposition ） 

19、光刻技術(shù)定出 VIA 孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線(xiàn)結構。然后，用 PECVD 法氧化層和氮化硅保護層。 20、光刻和離子刻蝕，定出 PAD 位置   

21、最后進(jìn)行退火處理，以保證整個(gè) Chip 的完整和連線(xiàn)的連接性