碳化硅器件，國產(chǎn)替代的趨勢和優(yōu)勢

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發(fā)布時(shí)間: 2022-5-30 10:43

正文摘要:

       與傳統的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC讓設計人員能夠減少元件的 ...

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