LN2312LT1G 20V N-CH 增強型 MOSFET SOT23

正文摘要:

20V N-CH 增強型 MOSFET 場(chǎng)效應晶體管 型號：LN2312LT1G 漏源極電阻：0.041 Ω 閾值電壓：0.4 V 漏源極電壓(Vds)：20 V 連續漏極電流(Ids)：4.9A 封裝：SOT-23 特征 先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù) 用于超低導通電 ...