LN2312LT1G 20V N-CH 增強型 MOSFET SOT23

Mindy—mjd

20V N-CH 增強型 MOSFET 場(chǎng)效應晶體管
型號：LN2312LT1G
漏源極電阻：0.041 Ω
閾值電壓：0.4 V
漏源極電壓(Vds)：20 V
連續漏極電流(Ids)：4.9A
封裝：SOT-23


特征
先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)
用于超低導通電阻的高密度電池設計
S- 汽車(chē)和其他需要的應用的前綴
獨特的現場(chǎng)和控制變更要求；AEC-Q101
合格且具備 PPAP 能力
V DS = 20V
R DS（ON），Vgs @ 4.5V，Ids @ 5.0A =41mΩ
R DS（ON），Vgs @ 2.5V，Ids @ 4.5A = 47m

供應LN2312LT1G 20V N-CH 增強型 MOSFET SOT23，全新原裝，實(shí)單價(jià)優(yōu)，歡迎聯(lián)系。
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