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－四款新器件助力提升工業(yè)設備的效率和功率密度－ 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調節器等工業(yè)設備。四款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。 
四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體積減小90%以上，并提高了設備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開(kāi)關(guān)損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅動(dòng)的信號源端子進(jìn)行開(kāi)爾文連接。這減少了封裝內部源極線(xiàn)電感的影響，實(shí)現高速開(kāi)關(guān)性能；以TW054V65C為例，與東芝現有產(chǎn)品相比[5]，其開(kāi)通損耗降低了約55%，關(guān)斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設備中的功率損耗。 未來(lái)東芝將繼續擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線(xiàn)，為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。
測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω 續流二極管采用各產(chǎn)品源極和漏極之間的二極管。（截至2025年5月，東芝對比結果） 圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導通損耗（Eon）和關(guān)斷損耗（Eoff）比較 應用： - 服務(wù)器、數據中心、通信設備等的開(kāi)關(guān)電源 - 電動(dòng)汽車(chē)充電站 - 光伏逆變器 - 不間斷電源 特性： - DFN8×8表面貼裝封裝，實(shí)現設備小型化和自動(dòng)化組裝，低開(kāi)關(guān)損耗 - 東芝第3代SiC MOSFET - 通過(guò)優(yōu)化漂移電阻和溝道電阻比，實(shí)現漏源導通電阻的良好溫度依賴(lài)性 - 低漏源導通電阻×柵漏電荷 - 低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V） 主要規格：
相關(guān)鏈接 SiC MOSFET絕對最大額定值和電氣特性 注： [1] 截至2025年5月。 [2] 電阻、電感等。 [3] 一種信號源引腳靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。 [4] 截至2025年5月，東芝測量值。請參考圖1。 [5] 采用TO-247封裝且無(wú)開(kāi)爾文連接的、具有同等電壓和導通電阻的650V東芝第3代SiC MOSFET。 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： TW031V65C https://toshiba-semicon-storage. ... tail.TW031V65C.html TW054V65C https://toshiba-semicon-storage. ... tail.TW054V65C.html TW092V65C https://toshiba-semicon-storage. ... tail.TW092V65C.html TW123V65C https://toshiba-semicon-storage. ... tail.TW123V65C.html 如需了解東芝SiC功率器件的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： SiC功率器件 https://toshiba-semicon-storage. ... semiconductors.html 如需了解相關(guān)新產(chǎn)品在線(xiàn)分銷(xiāo)商網(wǎng)站的供貨情況，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： TW031V65C https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TW031V65C.html TW054V65C https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TW054V65C.html TW092V65C https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TW092V65C.html TW123V65C https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TW123V65C.html | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
