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國內第三代半導體企業(yè)清純半導體今日宣布成功推出第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）技術(shù)平臺，并發(fā)布首款主驅芯片S3M008120BK。該芯片在常溫下的導通電阻（R ON）低至8mΩ，比導通電阻系數（Rsp）優(yōu)化至2.1 mΩ·cm²，達到國際先進(jìn)水平。這一突破標志著(zhù)國產(chǎn)碳化硅器件性能全面對標國際領(lǐng)先廠(chǎng)商，進(jìn)一步推動(dòng)新能源汽車(chē)、光伏儲能等高壓高頻場(chǎng)景下的能源效率升級。 技術(shù)創(chuàng )新：Rsp全球領(lǐng)先，動(dòng)態(tài)性能全面優(yōu)化 第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺深度融合多項專(zhuān)利設計，通過(guò)材料結構與制造工藝的協(xié)同創(chuàng )新，實(shí)現了導通電阻與動(dòng)態(tài)特性的雙重突破。 1、性能指標領(lǐng)跑行業(yè) 超低導通電阻：S3M008120BK芯片導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp僅為2.1 mΩ·cm²（較上一代降低約20%），刷新同類(lèi)產(chǎn)品世界紀錄。 高溫穩定性強：在175℃高溫環(huán)境下，導通電阻僅上升約50%，確保高功率場(chǎng)景下的可靠性。 動(dòng)態(tài)損耗優(yōu)化：通過(guò)改進(jìn)體二極管恢復特性，反向恢復電流峰值Irrm降低近30%，電壓過(guò)沖現象顯著(zhù)改善，開(kāi)關(guān)速度提升15%-20%。 
清純半導體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rsp變化 2、兼容性與可靠性并存 該芯片延續前兩代產(chǎn)品的低短路耐受特性，通過(guò)IEC 60747-17標準認證，并滿(mǎn)足-40℃至175℃寬溫域運行需求，適配新能源汽車(chē)電驅系統、光伏逆變器等嚴苛場(chǎng)景。 市場(chǎng)需求驅動(dòng)：降本增效應對行業(yè)“效率瓶頸” 近年來(lái)，新能源汽車(chē)、儲能系統及工業(yè)電源市場(chǎng)對高效功率器件的需求激增。然而，傳統硅器件在高電壓、高頻應用中面臨損耗高、散熱難等問(wèn)題。清純半導體第三代技術(shù)通過(guò)降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，助力終端產(chǎn)品實(shí)現以下升級： 新能源汽車(chē)：采用S3M008120BK電驅逆變器的車(chē)輛，續航里程有望提升5%-10%，800V高壓平臺快充效率進(jìn)一步提高。 光伏儲能：高頻化MOSFET減少無(wú)源器件體積，系統功率密度提升超10%，助力全球碳中和目標推進(jìn)。
S3M008120BK芯片輸出特性 據TrendForce數據顯示，全球碳化硅器件市場(chǎng)規模預計2026年突破89億美元，中國市場(chǎng)占比將超40%。清純半導體的技術(shù)突破恰逢其時(shí)，為其在高端市場(chǎng)搶占份額奠定基礎。 產(chǎn)業(yè)化布局：從設計到量產(chǎn)，加速?lài)a(chǎn)替代 清純半導體采取“設計+代工”協(xié)同模式，與國內頭部晶圓廠(chǎng)深度合作，確保技術(shù)快速落地。第三代產(chǎn)品已完成車(chē)規級AEC-Q101認證，并進(jìn)入主流車(chē)企驗證階段。公司CEO表示：“我們將持續擴大產(chǎn)能，計劃2025年底實(shí)現第三代產(chǎn)品月產(chǎn)能突破2萬(wàn)片/月，滿(mǎn)足新能源行業(yè)爆發(fā)式增長(cháng)需求�！� 行業(yè)反響：技術(shù)對標國際，供應鏈自主可控 業(yè)內專(zhuān)家認為，清純半導體的技術(shù)迭代速度與產(chǎn)業(yè)化能力已躋身全球第一梯隊。對比國際廠(chǎng)商，其產(chǎn)品在性能、可靠性及成本維度形成差異化競爭優(yōu)勢： 技術(shù)對標：Rsp參數超越國際龍頭Wolfspeed、英飛凌同代產(chǎn)品。 成本優(yōu)勢：依托本土供應鏈與規�；a(chǎn)，器件價(jià)格降低30%-40%。 生態(tài)建設：已與國內30余家客戶(hù)達成深度合作，覆蓋新能源汽車(chē)、光伏、充電樁等領(lǐng)域。 |
