ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業(yè)界先進(jìn)水平。
新產(chǎn)品采用ROHM自有結構，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導通電阻。另外，通過(guò)在一個(gè)器件中內置雙MOSFET的結構設計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿(mǎn)足雙向供電電路所需的雙向保護等應用需求。 新產(chǎn)品中的ROHM自有結構能夠將通常垂直溝槽MOS結構中位于背面的漏極引腳置于器件表面，并采用了WLCSP*3封裝。WLCSP能夠增加器件內部芯片面積的比例，從而降低新產(chǎn)品的單位面積導通電阻。導通電阻的降低不僅減少了功率損耗，還有助于支持大電流，使新產(chǎn)品能夠以超小體積支持大功率快速充電。例如，對小型設備的雙向供電電路進(jìn)行比較后發(fā)現，使用普通產(chǎn)品需要2枚3.3mm×3.3mm的產(chǎn)品，而使用新產(chǎn)品僅需1枚2.0mm×2.0mm的產(chǎn)品即可，器件面積可減少約81％，導通電阻可降低約33％。即使與通常被認為導通電阻較低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新產(chǎn)品的導通電阻也降低了約50％。因此，這款兼具低導通電阻和超小體積的“AW2K21”產(chǎn)品有助于降低應用產(chǎn)品的功耗并節省空間。 另外，新產(chǎn)品還可作為負載開(kāi)關(guān)應用中的單向保護MOSFET使用，在這種情況下也實(shí)現了業(yè)界超低導通電阻。 新產(chǎn)品已于2025年4月開(kāi)始暫以月產(chǎn)50萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格500日元/個(gè)，不含稅）。新產(chǎn)品在電商平臺將逐步銷(xiāo)售。 ROHM還在開(kāi)發(fā)更小體積的1.2mm×1.2mm產(chǎn)品。未來(lái)，ROHM將繼續致力于提供更加節省空間并進(jìn)一步提升效率的產(chǎn)品，助力應用產(chǎn)品的小型化和節能化發(fā)展，為實(shí)現可持續發(fā)展社會(huì )貢獻力量。
＜開(kāi)發(fā)背景＞ 近年來(lái)，為縮短充電時(shí)間，智能手機等配備大容量電池的小型設備中，配備快速充電功能的產(chǎn)品日益增多。這類(lèi)設備需要具備雙向保護功能以防止在非供電狀態(tài)時(shí)電流反向流入外圍IC等器件。此外，為了在快速充電時(shí)支持大電流，智能手機等制造商對MOSFET有嚴格的規格要求，如最大電流為20A、擊穿電壓*5為28V至30V、導通電阻為5mΩ以下等。然而，普通MOSFET產(chǎn)品若要滿(mǎn)足這些要求，就需要使用2枚導通電阻較低的大體積MOSFET，而這會(huì )導致安裝面積增加。為了解決這個(gè)問(wèn)題，ROHM開(kāi)發(fā)出采用超小型封裝并具備低導通電阻的MOSFET“AW2K21”，非常適用于大功率快速充電應用。 ＜產(chǎn)品主要特性＞
＜應用示例＞ ・智能手機 ・平板電腦 ・筆記本電腦 ・VR（Virtual Reality）眼鏡 ・可穿戴設備 ・掌上游戲機 ・小型打印機 ・液晶顯示器 ・無(wú)人機 此外，新產(chǎn)品還適用于其他配備快速充電功能的小型設備等眾多應用。 ＜電商銷(xiāo)售信息＞ 發(fā)售時(shí)間：2025年4月起 新產(chǎn)品在電商平臺將逐步發(fā)售。 產(chǎn)品型號：AW2K21 ＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞ *1）MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)） 一種采用金屬-氧化物-半導體結構的場(chǎng)效應晶體管，是FET中最常用的類(lèi)型。 通常由“柵極”、“漏極”和“源極”三個(gè)引腳組成。其工作原理是通過(guò)向控制用的柵極施加電壓，增加漏極流向源極的電流。 Nch MOSFET是一種通過(guò)向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。 共源結構的MOSFET內置兩個(gè)MOSFET器件，它們共享源極引腳。 *2）導通電阻 MOSFET工作（導通）時(shí)漏極與源極間的電阻值。數值越小，工作時(shí)的損耗（功率損耗）越小。 *3）WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package） 在晶圓狀態(tài)下完成引腳成型和布線(xiàn)，隨后切割成芯片的超小型封裝。與將晶圓切割成芯片后通過(guò)樹(shù)脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同，這種封裝可以做到與內部的半導體芯片相同大小，因此可以縮減封裝的尺寸。 *4）GaN HEMT GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料，與普通的半導體材料Si（硅）相比，其物性更優(yōu)異，開(kāi)關(guān)速度更快，支持高頻率工作。 HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫(xiě)。 *5）擊穿電壓 MOSFET漏極和源極之間可施加的最大電壓。如果超過(guò)該電壓，會(huì )發(fā)生絕緣擊穿，導致器件無(wú)法正常工作。 |
