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發(fā)布時(shí)間: 2023-9-23 11:06
正文摘要:SiC模塊換向電感降低可以實(shí)現SiC MOSFET的全速開(kāi)關(guān)。更高的開(kāi)關(guān)速度可以轉換成更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而得到更小的磁性過(guò)濾器 元件。同時(shí)可以降低開(kāi)關(guān)損耗，提高系統效率。精密的材料和封裝技術(shù)可以將芯片與散熱片之間的 ... |
基于雙脈沖實(shí)驗的Sic與IGBT特性對比研究 https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw  |
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碳化硅MOS管-SiC MODULE產(chǎn)品技術(shù)應用簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd 國產(chǎn)碳化硅MOS電壓650V-1200V-1700V-3300V，電流1A-150A |
| 碳化硅MOS單管650V-1200V-1700V-3300V-6500V和SiC MODULE介紹。電子工程網(wǎng) - http://selenalain.com/thread-821142-1-1.html |
| SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動(dòng)以及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html |
| 模塊 實(shí)現更高的功率密度 |
| 有AQG-324 |
| 碳化硅模塊 前途無(wú)量 |
| 實(shí)現更高的功率密度，可靠性和效率。 |
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