（APM永源微）AP30N15D 150V 30A N溝道增強型MOSFET、封裝TO-252-3L

正文摘要:

概述： AP30N15D采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，可提供出色的R-D（ON）、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓。該裝置適用于電池保護或其他開(kāi)關(guān)應用。 一般特性 - V-DS=150V，I-D=30A - V-GS=10V時(shí)，R-DS（開(kāi)啟）